Туннельная ионизация представляет собой явление, при котором электрон покидает атом или молекулу под действием сильного электрического поля, несмотря на то, что его энергия меньше высоты потенциального барьера. Классическая физика не допускает подобного выхода электрона, однако квантовая механика позволяет частице проникать через барьер за счет волновой природы и ненулевой вероятности нахождения в запрещённой области.
В условиях сверхсильных лазерных полей, особенно в диапазоне интенсивностей порядка 1013–1015 Вт/см², становится возможным ионизационный процесс, при котором электрон «просачивается» сквозь деформированный кулоновский потенциал ядра. Это приводит к генерации свободных электронов в течение промежутков времени порядка аттосекунд, что делает туннельную ионизацию одним из ключевых механизмов аттосекундной физики.
Без внешнего воздействия электрон удерживается кулоновским потенциалом ядра. Однако при наложении сильного электрического поля лазера происходит существенное искажение этого потенциала.
В отсутствие поля потенциальная энергия электрона описывается кулоновской зависимостью:
$$ V(r) = -\frac{Z}{r}, $$
где Z — заряд ядра, r — расстояние до электрона.
При добавлении внешнего поля E(t) потенциал приобретает вид:
$$ V(r) = -\frac{Z}{r} - eE(t)r \cos\theta, $$
что приводит к формированию пониженного барьера.
Если поле достаточно сильное, электрон оказывается «заперт» лишь в узкой области у ядра, а толщина барьера снижается настолько, что туннелирование становится вероятным в течение одного оптического цикла.
Процессы ионизации в сильных лазерных полях обычно разделяются на два режима:
Мультифотонная ионизация – происходит, если фотонная энергия меньше энергии ионизации, но электрон может поглотить несколько фотонов одновременно. Вероятность процесса описывается нелинейной зависимостью от интенсивности поля.
Туннельная ионизация – реализуется при достаточно сильном поле, когда электрон покидает атом не за счет последовательного поглощения фотонов, а посредством квантового туннелирования через барьер.
Переход между этими режимами количественно описывается параметром Кельдыша:
$$ \gamma = \frac{\omega}{E_0}\sqrt{\frac{2m I_p}{\hbar}}, $$
где ω — угловая частота лазера, E0 — амплитуда электрического поля, Ip — энергия ионизации, m — масса электрона.
Для описания данного процесса разработано несколько моделей.
В рамках ADK-модели скорость туннельной ионизации имеет вид:
$$ W \propto |E|^{2n^* -1} \exp\left(-\frac{2(2I_p)^{3/2}}{3|E|}\right), $$
где n* — эффективное главное квантовое число, Ip — энергия ионизации, E — величина электрического поля.
Туннельная ионизация имеет фундаментальное значение для аттосекундной физики, поскольку именно она лежит в основе процессов генерации высоких гармоник и формирования аттосекундных импульсов. Электрон, покинувший атом через туннель, может:
Именно этот механизм объясняет спектры высоких гармоник и возможность получения импульсов длительностью менее 100 аттосекунд.
Кроме того, измерение временной задержки при туннелировании является важной задачей современной аттосекундной метрологии. Существуют дискуссии о том, существует ли конечное «время туннелирования» или процесс является мгновенным. Экспериментальные методы, такие как стрикинг и RABBITT, позволяют исследовать временную динамику туннельного выхода электрона с субаттосекундным разрешением.
Туннельная ионизация используется не только как фундаментальное явление, но и как инструмент:
Таким образом, понимание туннельной ионизации является краеугольным элементом аттосекундной физики, обеспечивая как теоретическую основу, так и практический метод для исследований на фундаментальном уровне.