Элементы кристаллографии

Кристаллические решётки и симметрия твёрдых тел

Периодичность атомного строения твёрдых тел

В твёрдом теле атомы располагаются в пространстве с определённым порядком. В случае кристаллических веществ этот порядок является периодическим — структура повторяется в трёхмерном пространстве. Такой тип организации называется кристаллической решёткой. Она представляет собой абстрактную сетку, узлы которой соответствуют положениям идентичных групп атомов — базисов.

Кристаллическая решётка определяется совокупностью трансляционных векторов. Если выбрать произвольный узел решётки, его положение можно выразить как

R⃗ = n1a⃗1 + n2a⃗2 + n3a⃗3,

где n1, n2, n3 ∈ ℤ — целые числа, а a⃗1, a⃗2, a⃗3периодические векторы элементарной ячейки.

Элементарная ячейка и примитивная ячейка

Элементарная ячейка — минимальный объём, при многократном переносе которого по векторам трансляции восстанавливается вся решётка. Наиболее экономной по объёму является примитивная ячейка — содержащая ровно один узел решётки. Существуют и не примитивные ячейки — например, кубическая элементарная ячейка может содержать два и более узлов.

Параметры элементарной ячейки включают длины векторов a, b, c и углы между ними α, β, γ. Эти параметры определяют симметрию решётки и её принадлежность к определённой кристаллографической системе.

Классификация кристаллических систем

Существует 7 кристаллографических систем, в зависимости от соотношения длин векторов и углов между ними:

  • Триклинная: a ≠ b ≠ c, α ≠ β ≠ γ ≠ 90
  • Моноклинная: a ≠ b ≠ c, α = γ = 90, β ≠ 90
  • Орторомбическая: a ≠ b ≠ c, α = β = γ = 90
  • Тетрагональная: a = b ≠ c, α = β = γ = 90
  • Гексагональная: a = b ≠ c, α = β = 90, γ = 120
  • Ромбическая (тригональная): особая подгруппа гексагональной
  • Кубическая: a = b = c, α = β = γ = 90

Бравэ и типы решёток

Французский кристаллограф Огюст Бравэ установил, что существуют 14 уникальных трёхмерных решёток — так называемых решёток Бравэ. Эти решётки представляют собой все возможные способы упорядоченного периодического размещения идентичных точек в пространстве с учётом симметрии.

Для каждой кристаллографической системы возможно несколько типов решёток:

  • Примитивная (P) — узлы только в вершинах ячейки.
  • Объёмно-центрированная (I) — дополнительный узел в центре объёма.
  • Гранецентрированная (F) — дополнительные узлы в центрах всех граней.
  • Осесимметричная (C, A, B) — узлы в центрах парных граней.

Симметрия кристаллов

Кристаллические структуры обладают высоким уровнем симметрии. Основные элементы симметрии включают:

  • Центры инверсии
  • Оси вращения (2-, 3-, 4-, 6-кратные)
  • Плоскости зеркального отражения
  • Оси вращения с последующим отражением (оси вращения-зеркала)

Совокупность всех возможных симметрий кристаллической структуры описывается понятием пространственной группы. В трёхмерном пространстве существует 230 пространственных групп, каждая из которых соответствует определённому типу кристаллической симметрии.

Мотив и атомная подрешётка

Реальный кристалл — это не просто решётка точек. Каждому узлу соответствует группа атомов — мотив или базис. Таким образом, полное описание структуры кристалла — это совокупность решётки и базиса. Например, в структуре NaCl (галит) каждый узел содержит пару ионов Na+ и Cl, расположенных по определённой схеме.

Индексы Миллера и кристаллографические плоскости

Для описания ориентации плоскостей и направлений в кристалле используется система индексов Миллера. Для плоскостей:

  1. Определяются точки пересечения плоскости с осями координат в долях элементарной ячейки.
  2. Берутся обратные значения этих долей.
  3. Приводятся к наименьшему целому тройному числу — это и есть индексы (hkl).

Например, плоскость, пересекающая оси x, y, z на расстояниях a, b, будет иметь индексы (110).

Для направлений в кристалле используется запись в квадратных скобках — например, направление [100] соответствует вектору вдоль оси x.

Плотность упаковки и координационное число

Кристаллические решётки могут различаться по плотности упаковки атомов. Два ключевых параметра:

  • Координационное число (CN) — количество ближайших соседей у атома.
  • Коэффициент упаковки (APF) — доля объёма ячейки, занятая атомами.

Для трёх основных структур:

Тип решётки CN APF
Простая кубическая 6 0.52
Объёмно-центрированная (BCC) 8 0.68
Гранецентрированная (FCC) 12 0.74

FCC обладает наивысшей плотностью упаковки среди всех кубических решёток.

Анизотропия свойств кристаллов

Из-за различий в ориентации атомных плоскостей кристаллы часто проявляют анизотропию — зависимость физических свойств от направления. Например, коэффициент теплопроводности, модули упругости, показатели преломления могут отличаться вдоль различных кристаллографических осей.

Анизотропия особенно важна в области полупроводников, пьезоэлектриков и оптических материалов.

Точечные дефекты и реальные кристаллы

В реальности кристаллы не идеальны. Они содержат дефекты, которые можно классифицировать по размерности:

  • Точечные дефекты: вакансии, межузельные атомы, примеси
  • Линейные дефекты: дислокации
  • Плоские дефекты: границы зёрен, двойники

Точечные дефекты играют ключевую роль в электрических, диффузионных и механических свойствах кристаллов. Например, примесные атомы в кремнии радикально изменяют его проводимость.

Поликристаллические и аморфные материалы

Большинство твёрдых тел в природе — поликристаллы, состоящие из множества кристаллитов, ориентированных случайным образом. Между ними располагаются границы зёрен, которые существенно влияют на механические свойства.

Противоположностью кристаллических материалов являются аморфные тела, в которых отсутствует дальний порядок. Их структура напоминает жидкость, застывшую без кристаллизации. Примеры: стекло, некоторые полимеры.

Законы роста кристаллов и морфология

Форма кристаллов зависит от относительных скоростей роста различных кристаллографических плоскостей. Плоскости с медленным ростом становятся доминирующими в внешней форме кристалла. Этим объясняется, например, появление характерных граней у кристаллов кварца или соли.

Морфология определяется не только внутренней симметрией, но и условиями роста — температурой, концентрацией веществ, наличием примесей.

Заключительные замечания по кристаллографии

Кристаллография лежит в основе понимания структуры и свойств твёрдых тел. Она обеспечивает формальный язык для описания внутреннего строения вещества, классификации материалов и анализа их физических характеристик. Современные методы исследования, такие как рентгеновская дифракция и электронная микроскопия, позволяют с высокой точностью определять параметры решётки и типы симметрии, что критически важно для разработки новых функциональных материалов.