Двумерный электронный газ (2DEG) представляет собой систему, в которой движение электронов ограничено в одном направлении, обычно по оси z, так что электроны могут свободно двигаться только в плоскости xy. В криофизике двумерные электронные газы изучаются в сверхчистых полупроводниковых гетероструктурах, например, в системах GaAs/AlGaAs, а также на поверхности металлов и графена при низких температурах.
Ключевые моменты:
В двумерной системе электроны ограничены в направлении z потенциалом квантовой ямы V(z), а движение в плоскости xy остаётся свободным. Решение уравнения Шредингера имеет вид:
ψ(r) = ψn(z) ⋅ ei(kxx + kyy),
где ψn(z) — собственные функции квантовой ямы, n = 0, 1, 2, … — квантовое число по оси z, а kx, ky — компоненты волнового вектора в плоскости. Соответствующие энергии:
$$ E_{n}(k_x, k_y) = E_n^z + \frac{\hbar^2}{2 m^*}(k_x^2 + k_y^2), $$
где Enz — дискретные уровни энергии по направлению квантовой ямы.
Особенности:
Для системы при температуре T = 0 Ферми-уровень определяется из условия сохранения числа электронов:
ns = ∑n∫0EF − Enzg(E) dE = ∑ng(E) ⋅ (EF − Enz) Θ(EF − Enz),
где ns — поверхностная плотность электронов, а Θ — функция Хевисайда. Для сильно квантованных систем часто рассматривают только n = 0, так как EF < E1z.
Введение магнитного поля B перпендикулярно плоскости 2DEG приводит к сильному квантованию орбитального движения электронов, что проявляется в образовании уровней Ландау:
$$ E_N = \hbar \omega_c \left(N + \frac{1}{2}\right), \quad N = 0, 1, 2, \dots $$
где $\omega_c = \frac{eB}{m^*}$ — циклотроная частота. В этих условиях проявляется квантовый эффект Холла, характеризующийся ступенчатой зависимостью поперечной проводимости:
$$ \sigma_{xy} = \nu \frac{e^2}{h}, \quad \nu \in \mathbb{Z}. $$
Ключевые моменты:
При низких температурах и высоких плотностях электронов взаимодействие между частицами становится критическим:
$$ \omega_p(q) \sim \sqrt{\frac{2 \pi n_s e^2}{m^*} q}. $$
В сверхнизких температурах двумерный электронный газ демонстрирует ряд уникальных явлений:
Гетероструктуры и квантовые ямы: самый распространённый метод — рост гетероструктур GaAs/AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Это позволяет получить сверхчистые системы с подвижностью электронов более 106 см2/В·с.
Электрические и оптические методы измерений: