Инверсная населенность — ключевое условие генерации когерентного электромагнитного излучения в лазерах. Под этим термином понимается такое распределение населения энергетических уровней в системе, при котором число частиц (атомов, молекул или ионов) на возбужденном уровне превышает число частиц на более низком, обычно основном, уровне. Это противоречит обычному тепловому распределению по Больцману и возможно лишь в неравновесных условиях.
Для двухуровневой системы, находящейся в термодинамическом равновесии при температуре T, отношение населённостей уровней с энергиями E1 и E2 (где E2 > E1) описывается законом Больцмана:
$$ \frac{N_2}{N_1} = \exp\left(-\frac{E_2 - E_1}{kT}\right) $$
Из этого выражения очевидно, что N2 < N1 при любом конечном значении T, и тем самым инверсная населенность невозможна в термодинамическом равновесии.
Инверсная населенность требует внешнего воздействия, приводящего систему в неравновесное состояние. Такое воздействие называется накачкой и может быть:
Целью накачки является перевод частиц с низших уровней на высшие, причём желательно — на один конкретный энергетический уровень, где частицы будут достаточно долго находиться, прежде чем перейти вниз с испусканием фотона.
Пусть имеется двухуровневая система с уровнями 1 и 2. Если внешним источником возбуждать переход 1 → 2, то одновременно будут происходить и процессы стимулированного перехода 2 → 1. В равновесии достижение состояния, при котором N2 > N1, невозможно. При увеличении интенсивности накачки скорость переходов 1 → 2 и 2 → 1 возрастает одинаково, но максимум, который можно достичь, это равенство населённостей: N2 = N1.
Таким образом, двухуровневая система не позволяет реализовать инверсную населенность.
Для преодоления ограничений двухуровневой системы используется трёхуровневая схема, где уровни обозначаются как 1 (основной), 2 (метастабильный), 3 (высший). Схема работы:
Поскольку переход 2 → 1 может быть стимулирован, инверсная населенность возникает между уровнями 2 и 1. Однако есть трудность: начальное население уровня 1 велико, и значительное его «истощение» требует большой энергии накачки.
Более эффективной является четырёхуровневая система. Уровни: 1 (низший), 2 (нижний рабочий), 3 (верхний рабочий), 4 (накачиваемый). Порядок работы:
Преимуществом такой схемы является то, что уровень 2 быстро опустошается, а значит, даже малое число частиц на уровне 3 создаёт инверсную населенность.
Обозначим:
Инверсная населенность означает:
N2 > N1
Часто используется величина населённости инверсии:
ΔN = N2 − N1
Для положительного усиления по схеме индуцированного излучения необходимо, чтобы ΔN > 0, тогда коэффициент усиления среды становится положительным:
g(ν) = σ(ν) ⋅ ΔN
где σ(ν) — сечение вынужденного излучения при частоте ν.
Инверсная населенность особенно чувствительна к временам жизни уровней. Чтобы накапливать население на верхнем уровне, его время жизни τ2 должно быть существенно больше, чем на нижнем τ1:
τ2 ≫ τ1
Это условие обеспечивает:
Если нижний уровень заполняется медленно, а верхний уровень — стабилен, создаются оптимальные условия для инверсии.
Газовые лазеры (He-Ne) Инверсная населенность достигается за счёт столкновительной передачи энергии от метастабильных атомов гелия к неону.
Твердотельные лазеры (например, Nd:YAG) Используется оптическая накачка: ионы неодима возбуждаются в кристалле, происходит быстрое расслабление и накопление на метастабильном уровне.
Полупроводниковые лазеры Энергия подаётся в виде электрического тока. Инверсная населенность создается за счёт инжекции носителей (электронов и дырок) в активную область.
Обычно инверсная населенность изображается на энергетических диаграммах. Там наглядно показываются:
Это помогает анализировать эффективность лазерной схемы, рассчитывать оптимальные параметры накачки, выбирать материалы.
Изменение инверсной населенности с течением времени описывается кинетическими уравнениями. Например, для двухуровневой модели (условной), при наличии накачки R и времен жизни уровней можно записать:
$$ \frac{dN_2}{dt} = R - \frac{N_2}{\tau_2} - B_{21} N_2 \rho(\nu) $$
$$ \frac{dN_1}{dt} = -R + \frac{N_2}{\tau_2} + B_{21} N_2 \rho(\nu) $$
Из этих уравнений видно, как накачка, спонтанные и индуцированные переходы влияют на населённости уровней.
Инверсная населенность непосредственно участвует в описании процессов с помощью коэффициентов Эйнштейна:
Для усиления света необходимо, чтобы вклад индуцированного излучения превышал вклад поглощения, что возможно только при:
$$ N_2 > \frac{g_2}{g_1} N_1 $$
где g1, g2 — статистические веса уровней.
Достижение устойчивой инверсной населенности связано с решением ряда практических задач:
Кроме того, важно обеспечить, чтобы потери в системе были меньше, чем усиление, иначе инверсия не приведёт к генерации.
Инверсная населенность — это центральное понятие в лазерной физике, без которого невозможна реализация ни одного лазера. Она отражает фундаментальные отличия лазерной генерации от процессов естественного излучения и определяет как структуру лазеров, так и их рабочие характеристики.