Механизм усиления света в активной среде

При прохождении электромагнитного излучения через вещество возможны три фундаментальных процесса: поглощение, спонтанное излучение и вынужденное излучение. Эти процессы лежат в основе механизма усиления света в активной среде.

  • Поглощение происходит, когда фотон взаимодействует с атомом или молекулой, переводя её из нижнего энергетического уровня E1 на более высокий E2.
  • Спонтанное излучение — самопроизвольный переход возбужденной системы на уровень с меньшей энергией с испусканием фотона. Этот процесс не зависит от внешнего излучения.
  • Вынужденное излучение — процесс, при котором находящаяся на возбужденном уровне система переходит на более низкий уровень под действием падающего фотона, излучая при этом второй фотон той же частоты, направления, фазы и поляризации.

Для создания усиления излучения (а в дальнейшем — генерации когерентного лазерного излучения) решающую роль играет именно вынужденное излучение, открытое Эйнштейном в рамках теории вероятностей переходов.


Коэффициенты Эйнштейна и условия усиления

Для описания переходов между двумя уровнями E1 и E2, Эйнштейн ввёл три коэффициента:

  • B12 — коэффициент вероятности поглощения
  • A21 — коэффициент вероятности спонтанного излучения
  • B21 — коэффициент вероятности вынужденного излучения

Рассмотрим систему, находящуюся в тепловом равновесии с излучением плотности спектральной энергии ρ(ν). Тогда скорости переходов можно выразить как:

W12 = B12ρ(ν),  W21вын = B21ρ(ν),  W21спонт = A21

В стационарном режиме количество переходов снизу вверх и сверху вниз должно быть одинаковым. Отсюда вытекают соотношения между коэффициентами:

$$ \frac{A_{21}}{B_{21}} = \frac{8\pi h \nu^3}{c^3}, \quad B_{12} = B_{21} $$

Эти соотношения показывают, что при наличии внешнего излучения вынужденное излучение может конкурировать с поглощением, особенно если удастся изменить соотношение численности частиц на уровнях E1 и E2.


Инверсная заселённость как ключевое условие

В обычном термодинамическом равновесии нижние уровни всегда заселены сильнее, чем верхние, согласно распределению Больцмана:

$$ \frac{N_2}{N_1} = \exp\left(-\frac{h\nu}{kT}\right) < 1 $$

Для того чтобы в веществе происходило усиление излучения, необходимо, чтобы число возбужденных частиц превышало число частиц на нижнем уровне:

N2 > N1

Это состояние называется инверсной заселённостью. Оно не может быть достигнуто в термодинамическом равновесии, поэтому для его создания требуется внешнее накачивание энергии в систему (оптическое, электрическое, химическое, и др.).


Двухуровневая система и невозможность усиления

Пусть в активной среде имеются только два уровня — основной E1 и возбужденный E2. Тогда процесс накачки (переход E1 → E2) сопровождается неизбежным одновременным усилением процессов поглощения и излучения. При любом значении температуры или интенсивности накачки не удается достичь инверсии заселённостей:

$$ \frac{N_2}{N_1} < 1 $$

Следовательно, двухуровневая система не может использоваться как активная среда лазера. Для реализации лазерного усиления требуется минимум трёхуровневая или четырёхуровневая система.


Трёхуровневая схема усиления

Наиболее простая модель, в которой возможна реализация инверсии, — трёхуровневая система. Пусть имеется три уровня: основной E1, промежуточный E2, и высокий E3. Схема работы:

  1. Частицы накачиваются с основного уровня E1 на уровень E3.
  2. Быстрый (неизлучательный) переход E3 → E2 приводит к накоплению частиц на уровне E2.
  3. Между E2 и E1 возникает возможность инверсии: N2 > N1.
  4. Усиление света происходит за счёт вынужденного перехода E2 → E1.

Трудность трёхуровневой схемы заключается в том, что основной уровень E1 сильно заселён, поэтому требуется накачать более половины всех частиц, что требует высокой мощности накачки.


Четырёхуровневая схема — основа большинства лазеров

Наиболее эффективно усиление реализуется в четырёхуровневой системе:

  1. Частицы накачиваются с основного уровня E0 на высокий уровень E3.
  2. Быстрый переход E3 → E2 создает население верхнего рабочего уровня.
  3. Усиление происходит между уровнями E2 → E1, где E1 — нижний рабочий уровень.
  4. Частицы с уровня E1 быстро переходят на основной уровень E0, что поддерживает низкое население E1.

Преимущество такой схемы в том, что инверсная заселённость возникает даже при сравнительно малом количестве частиц на уровне E2, поскольку E1 почти пуст.


Коэффициент усиления и уравнение переноса

Если через активную среду проходит световой пучок интенсивности I(z), то изменение интенсивности при прохождении длины dz описывается дифференциальным уравнением:

$$ \frac{dI(z)}{dz} = \gamma I(z) $$

где γкоэффициент усиления, зависящий от частоты, сечений переходов и разности заселённостей уровней:

γ(ν) = σ(ν)[N2 − N1]

Здесь σ(ν) — эффективное сечение вынужденного излучения. Если N2 > N1, то γ > 0, и происходит экспоненциальное нарастание интенсивности:

I(z) = I0eγz

Это уравнение описывает линейное усиление, пока не вступают в силу насыщение и нелинейные эффекты.


Спектральная зависимость усиления

Реальные уровни имеют конечную ширину, обусловленную естественным, доплеровским и столкновительным уширением. В результате сечение вынужденного излучения σ(ν) и, следовательно, коэффициент усиления γ(ν), имеют спектральную зависимость. Наибольшее усиление наблюдается вблизи центральной частоты перехода.


Насыщение усиления

При увеличении интенсивности излучения количество частиц на верхнем уровне начинает уменьшаться, и инверсная заселённость снижается. Это приводит к насыщению усиления, при котором рост интенсивности замедляется:

$$ \gamma_{\text{эфф}} = \frac{\gamma_0}{1 + \frac{I}{I_{\text{нас}}}} $$

где Iнас — интенсивность насыщения, а γ0 — коэффициент усиления при слабом зондирующем пучке.


Реализация усиления в активных средах

В зависимости от типа лазера используются различные активные среды:

  • Газовые среды (He-Ne, CO₂): атомные и молекулярные переходы, узкие линии, низкая плотность.
  • Твердотельные среды (Nd:YAG, рубин): ионные примеси в кристаллах, высокая плотность, широкие спектральные линии.
  • Полупроводниковые среды: зонные переходы, высокая эффективность и компактность.
  • Жидкости и красители: широкий диапазон перестройки частоты.

Для каждой среды характерны свои методы накачки, времена жизни уровней, параметры усиления и насыщения.


Условия устойчивого усиления

Для эффективного и стабильного усиления необходимо обеспечить:

  • Достижение и поддержание инверсной заселённости;
  • Минимизацию потерь излучения в среде;
  • Оптимальный выбор длины активной среды, согласованный с коэффициентом усиления и насыщения;
  • Управление температурными, механическими и колебательными воздействиями на среду.

Эти условия лежат в основе проектирования лазеров с положительной обратной связью, в которых усиливаемое излучение многократно проходит через активную среду, приводя к самоподдерживающемуся генерационному процессу.