Системы накачки твердотельных лазеров

Классификация и физические основы систем накачки твердотельных лазеров

Накачка в твердотельных лазерах — ключевой процесс, обеспечивающий возбуждение активных ионов в кристаллической или стеклянной матрице до верхнего лазерного уровня. Системы накачки преобразуют энергию внешнего источника в энергию, способную индуцировать инверсию населённостей. Основные методы накачки твердотельных лазеров включают оптическую (ламповую и диодную) и реже — электронную и химическую, которые рассматриваются как экзотические или специализированные.


Ламповая накачка

Ламповая накачка исторически была первой формой оптической накачки и остаётся широко используемой, особенно в высокоэнергетических импульсных лазерах.

Типы ламп: Применяются в основном ксеноновые и криптоновые газоразрядные лампы. Ксеноновые лампы дают широкополосное излучение в ультрафиолетовом и видимом диапазоне, хорошо подходящее для возбуждения широких спектров поглощения ионов редкоземельных элементов, таких как Nd³⁺.

Конструкция и размещение: Часто используются эллиптические или цилиндрические отражающие камеры (резонаторы) с лампой, размещённой параллельно активному элементу. Это позволяет фокусировать максимум оптической энергии на лазерную среду.

Преимущества и недостатки:

  • Простота реализации, высокая мощность. − Низкий КПД (обычно 1–2 %), сильное тепловое нагревание среды, неравномерность накачки, деградация лампы во времени.

Диодная накачка

Полупроводниковые лазерные диоды, особенно с выходом в узких спектральных диапазонах, произвели революцию в технологии твердотельных лазеров, обеспечив возможность компактных и эффективных систем.

Спектральная селективность: Лазерные диоды могут быть точно настроены на полосу поглощения активных ионов, например, на 808 нм для Nd³⁺ в YAG, что резко повышает эффективность возбуждения.

Геометрия накачки: Существуют различные схемы — торцевая, боковая, V-образная, совместное торцево-боковое возбуждение. Наиболее часто используется торцевая накачка, особенно для диодов с узкой апертурой.

Массивы и бары: Для увеличения мощности используют диодные массивы (bars), состоящие из нескольких диодов, объединённых на подложке. Они могут быть дополнительно коллимированы и фокусированы с помощью микролинз.

Преимущества и недостатки:

  • Высокий КПД (до 50 %), низкий уровень тепловых потерь, компактность, длительный срок службы. − Более высокая стоимость, необходимость в точной термостабилизации и температурной настройке длины волны.

Спектральное и пространственное согласование

Для максимальной эффективности необходимо соответствие между спектром излучения накачки и спектром поглощения активных ионов, а также между распределением интенсивности накачки и геометрией мод в резонаторе.

Спектральное согласование: Используются узкополосные диоды и температурная настройка. Лампы накачки проигрывают в этом аспекте из-за широкой спектральной ширины.

Пространственное согласование: Важно обеспечить совпадение области накачки с объёмом моды в активной среде, чтобы минимизировать потери и достичь однородной инверсии.


Импульсная и непрерывная накачка

Режим накачки выбирается в зависимости от назначения лазера и характеристик активной среды.

Импульсная накачка: Используется в высокоэнергетических лазерах с короткой длительностью импульса, где важна высокая пиковая мощность. Наиболее часто реализуется лампами или мощными диодными массивами с импульсным питанием.

Непрерывная накачка: Предпочтительна для приложений, требующих стабильного выходного излучения (например, в прецизионных измерениях, системах связи и пр.). Здесь особенно эффективны лазерные диоды.


Энергетическая эффективность систем накачки

КПД системы накачки — критически важный параметр, особенно в портативных и тепловоздействующих системах. Он определяется как отношение выходной оптической мощности лазера к мощности, подведённой к системе накачки.

Ламповая накачка: КПД всей системы редко превышает 2–3 %. Основные потери — в виде тепла и нефокусированной энергии.

Диодная накачка: Современные диоды обеспечивают светоэлектрический КПД > 50 %, а весь лазерный модуль может достигать общего КПД 20–25 %, что в десятки раз выше ламповых аналогов.


Тепловые эффекты при накачке

В процессе накачки значительная часть энергии преобразуется в тепло, что приводит к градиентам температуры и термооптическим эффектам: изменению показателя преломления, деформации кристалла, и, как следствие, искажению мод и снижению стабильности генерации.

Управление тепловыми нагрузками: Применяются водяное и воздушное охлаждение, тепловые интерфейсы, радиаторы, элементы Пельтье, выбор материалов с высокой теплопроводностью (например, YAG или сапфир как матрица).


Инновационные подходы к накачке

Волоконно-диодная накачка: Использование мощных волоконных лазеров в качестве источника накачки для других твердотельных лазеров позволяет повысить плотность энергии и упростить архитектуру.

Внутрирезонаторная накачка: В этой схеме источник накачки располагается внутри резонатора, что даёт более высокую плотность накачки, однако предъявляет жёсткие требования к стабильности и выравниванию оптической системы.

Самонакачка (self-pumping): Особый случай, когда одна активная среда испускает излучение, возбуждающее другую — используется, например, в комбинированных лазерах на Nd:YVO₄ и Yb:YAG.


Особенности выбора источника накачки для различных активных сред

Разные активные среды требуют специфических условий накачки:

  • Nd:YAG: оптимально накачивается при 808 нм, подходит как ламповая, так и диодная накачка.
  • Yb:YAG: эффективна при 940–980 нм, требует узкополосных диодов; высокий КПД при низких тепловых потерях.
  • Er:YAG: чувствительна к длине волны 980 и 1450 нм, требует согласования с тонкими полосами поглощения.
  • Ti:сапфир: требует широкой спектральной накачки в УФ или синем диапазоне, часто реализуется с использованием других лазеров (например, зелёного DPSS-лазера на Nd:YAG с удвоением частоты).

Электронная и ионная накачка

Хотя крайне редко применяются в твердотельных лазерах, эти методы представляют собой интерес с точки зрения фундаментальных исследований.

  • Электронная накачка: осуществляется бомбардировкой кристалла пучком быстрых электронов, что индуцирует возбуждение ионов.
  • Ионная накачка: используется для возбуждения в специализированных средах с высокой радиационной стойкостью.

Требования к источникам питания

Источник питания должен обеспечивать стабильность тока и напряжения, защиту от перегрева, возможность импульсного или непрерывного режима, быстрое включение/выключение, синхронизацию с управляющими сигналами и др. Для диодов особенно важна температурная стабилизация для предотвращения дрейфа длины волны.


Развитие технологий и тенденции

Современные тенденции в развитии систем накачки включают:

  • Миниатюризацию диодных источников и систем охлаждения;
  • Повышение спектральной плотности мощности;
  • Внедрение адаптивных оптических систем согласования;
  • Интеграцию с волоконно-оптическими компонентами;
  • Использование AI и цифровой стабилизации режимов накачки.

Системы накачки продолжают оставаться ключевым элементом в архитектуре твердотельных лазеров, определяя их энергоэффективность, надёжность, стабильность генерации и возможности интеграции в прикладные и научные установки.