Композитные мультиферроики представляют собой искусственно
синтезированные материалы, которые комбинируют в одной системе
ферромагнитные и ферроэлектрические компоненты. Основная цель создания
таких систем — усиление магнитоэлектрического взаимодействия за счет
интерфейсных эффектов между различными фазами. В отличие от однофазных
мультиферроиков, где магнитные и электрические свойства реализованы в
одной кристаллической решетке, композитные системы позволяют
контролировать и оптимизировать свойства каждой составляющей фазы
отдельно.
Основные типы композитных мультиферроиков:
Механически смешанные композиты (Particulate
composites)
- Состоят из ферромагнитных частиц, распределённых в матрице
ферроэлектрика (или наоборот).
- Пример: NiFe₂O₄ в матрице BaTiO₃.
- Механизм взаимодействия: механический стресс, передаваемый через
интерфейс, приводит к магнитоэлектрическому отклику.
Слои (Laminate composites)
- Структуры с чередующимися слоями ферромагнетика и
ферроэлектрика.
- Пример: PZT/CoFe₂O₄.
- Магнитоэлектрический эффект достигается через передача напряжений
между слоями при намагничивании или поляризации.
- Преимущество: высокая величина магнитоэлектрического коэффициента по
сравнению с частичными композитами.
Нанокомпозиты
- Микро- и наноразмерные структуры, в которых ферромагнитные и
ферроэлектрические компоненты образуют тонкие взаимопроникающие
сети.
- Пример: нанопроволоки CoFe₂O₄, внедренные в матрицу BaTiO₃.
- Характерно значительное увеличение интерфейсной площади, что
усиливает магнитоэлектрическое взаимодействие.
Физические механизмы
взаимодействия
1. Механическая связь (Strain-mediated coupling)
- Основной механизм для большинства композитных мультиферроиков.
- Поляризация в ферроэлектрике создаёт механическое напряжение,
которое передается ферромагнитной фазе и изменяет её
намагниченность.
- Обратное воздействие: намагничивание ферромагнитного компонента
индуцирует деформацию, влияющую на поляризацию.
2. Электронная связь (Charge-mediated coupling)
- Происходит на границе ферроэлектрик–ферромагнетик через перенос
зарядов или формирование дипольных слоев.
- Более выражена в тонкоплёночных композитах.
- Позволяет реализовать магнитоэлектрический эффект без механической
деформации.
3. Магнитострикция и пьезоэлектрический отклик
- Ферромагнитная фаза проявляет магнитострикцию, изменяя свою форму
под действием магнитного поля.
- Ферроэлектрик реагирует на механическое воздействие через
пьезоэлектрический эффект.
- Сочетание этих явлений создаёт эффективный магнитоэлектрический
отклик.
Синтез и методы изготовления
1. Механическое смешивание и спекание
- Простая технология для частичных композитов.
- Проблемы: не всегда обеспечивает однородную морфологию и
интерфейс.
2. Тонкоплёночные технологии
- Методы: спин-коутинг, магнетронное распыление, химическое осаждение
из раствора.
- Позволяют контролировать толщину слоев, их ориентацию и качество
интерфейса.
- Обеспечивает улучшенный магнитоэлектрический отклик.
3. Самоорганизующиеся нанокомпозиты
- Используют процессы самосборки при термическом отжиге или
осаждении.
- Пример: вертикальные наноструктуры CoFe₂O₄/BaTiO₃ с высокой
плотностью интерфейса.
- Преимущество: значительно увеличенная эффективная поверхность
взаимодействия.
Магнитоэлектрические
свойства
Магнитоэлектрический коэффициент (α_ME)
- Основная характеристика композитного мультиферроика.
- Определяется как изменение поляризации при приложении магнитного
поля или изменение намагниченности при приложении электрического
поля:
$$
\alpha_{ME} = \frac{dP}{dH} \quad \text{или} \quad \frac{dM}{dE}
$$
- В композитах α_ME может достигать значений, в десятки раз
превышающих однофазные мультиферроики.
Частотная зависимость
- Магнитоэлектрический отклик зависит от частоты приложенного
сигнала.
- В слоистых композитах наблюдается резонансное усиление при
акустических или магнитных резонансах.
Температурная зависимость
- Влияние фазовых переходов ферроэлектрика и ферромагнетика на
α_ME.
- Оптимальные значения достигаются при температурах, близких к Curie и
Néel точкам компонентов.
Применение композитных
мультиферроиков
Магнитоэлектрические сенсоры
- Измерение малых магнитных полей через изменение электрической
поляризации.
- Высокая чувствительность за счет резонансных эффектов в
композитах.
Актюаторы и трансдьюсеры
- Преобразование электрического сигнала в магнитный и обратно.
- Используются в микроэлектромеханических системах (MEMS).
Энергетические устройства
- Генерация энергии из колебаний магнитного или электрического
поля.
- Возможность создания гибридных устройств сбора энергии.
Запоминающие устройства (ME-RAM)
- Использование магнитоэлектрического эффекта для записи информации
при низком энергопотреблении.
- Потенциал для интеграции с CMOS-технологиями.