Магнитные сенсоры — это устройства, предназначенные для измерения магнитного поля и его характеристик. Они находят широкое применение в навигации, промышленной автоматизации, электронике, биомедицине и оборонной технике. Основными параметрами, характеризующими работу магнитного сенсора, являются чувствительность, линейность отклика, диапазон измеряемых магнитных полей, скорость отклика и температурная стабильность.
Магнитные сенсоры можно классифицировать по принципу действия: индукционные, резистивные, эффект Холла, магнитострикционные, гигантского магнетосопротивления (GMR) и туннельного магнитосопротивления (TMR). Каждое из этих устройств использует уникальные физические явления для регистрации магнитного поля.
Индукционные сенсоры работают на основе закона электромагнитной индукции Фарадея. Изменение магнитного потока через проводящую катушку индуцирует электродвижущую силу, которая регистрируется в электрической цепи.
Ключевые особенности:
Применяются преимущественно в генераторах, датчиках тока и устройствах контроля положения вращающихся объектов.
Резистивные сенсоры используют магнитное изменение электрического сопротивления материала. При наложении внешнего магнитного поля структура материала изменяет проводимость, что фиксируется как изменение сопротивления.
Ключевые моменты:
Применяются для точного измерения слабых полей, например, в медицинских приборах и измерении положения малых движущихся элементов.
Эффект Холла основан на возникновении поперечного напряжения на проводнике при протекании тока в магнитном поле.
Особенности работы:
Используются в датчиках положения, скорости вращения, тока и в системах безопасности.
Магнитострикция — это изменение формы или размеров ферромагнитного материала под действием магнитного поля. Сенсор преобразует это механическое деформирование в электрический сигнал с помощью пьезоэлектрических элементов.
Ключевые особенности:
Применяются в контроле линейного и углового перемещения, а также в безконтактных датчиках силы и давления.
Эффект GMR наблюдается в тонких многослойных структурах, когда сопротивление материала изменяется в зависимости от ориентации магнитных слоев относительно внешнего поля.
Преимущества:
Эффект TMR основан на квантовом туннелировании электронов через тонкий изолятор между двумя ферромагнитными слоями. Сопротивление структуры зависит от относительной ориентации магнитных моментов слоев.
Ключевые моменты:
Магнитные сенсоры находят применение в различных областях: