Обратная магнитострикция, или эффект Джулс-Жансена, представляет собой явление, при котором механическое деформирование ферромагнитного материала вызывает изменение его магнитной намагниченности. В отличие от прямой магнитострикции, где магнитизация приводит к деформации кристаллической решетки, обратная магнитострикция является примером обратной связи между механическими и магнитными свойствами материала. Этот эффект лежит в основе работы множества сенсоров, актуаторов и устройств управления магнитными системами.
С точки зрения физики, обратная магнитострикция обусловлена взаимодействием между спинами электронов и решеткой кристалла — спин-орбитальным взаимодействием. Механическое напряжение изменяет энергетический ландшафт магнитных доменов, вызывая перераспределение магнитных моментов и изменение суммарной намагниченности образца.
Обратная магнитострикция проявляется на макроскопическом уровне как изменение намагниченности под действием внешнего механического напряжения. Основные процессы включают:
Деформация кристаллической решетки: При приложении растягивающего или сжимающего напряжения изменяются межатомные расстояния, что приводит к изменению магнитных обменных взаимодействий между атомами.
Перестройка магнитных доменов: Механическая деформация создает дополнительную анизотропию, способствуя перемещению стенок доменов или переориентации магнитных моментов внутри домена.
Изменение энергетического состояния спиновой системы: Область минимальной свободной энергии сдвигается в направлении, соответствующем приложенному напряжению, что отражается в изменении суммарного магнитного момента.
Для количественного описания обратной магнитострикции используют термодинамический подход. Свободная энергия ферромагнитного тела с учетом механической деформации и магнитной анизотропии может быть представлена как:
F = Fмаг + Fмех + Fмаг-мех,
где:
Энергия взаимодействия пропорциональна компонентам тензора напряжений σij и тензора намагниченности MiMj:
$$ F_\text{маг-мех} = - \frac{3}{2} \lambda_s \sum_{i,j} \sigma_{ij} \frac{M_i M_j}{M_s^2}, $$
где λs — коэффициент магнитострикции насыщения, Ms — насыщенная намагниченность. Минимизация полной энергии по ориентации магнитного момента позволяет предсказать изменение намагниченности при заданном напряжении.
В зависимости от характера механической нагрузки и симметрии кристалла различают несколько форм обратной магнитострикции:
Тензорная (объемная) обратная магнитострикция: Изменение намагниченности при равномерном объеме напряжений, проявляющееся в кристаллах высокой симметрии.
Сдвиговая (срезовая) обратная магнитострикция: Изменение намагниченности под действием касательных напряжений, характерное для аморфных и поликристаллических материалов.
Анизотропная обратная магнитострикция: Связана с ориентацией кристаллических осей относительно направления приложения силы; проявляется ярко в монокристаллах с выраженной кристаллографической анизотропией.
Обратная магнитострикция измеряют с использованием различных методов:
Метод вибрационного магнитоанализатора (VSM): Позволяет регистрировать изменение магнитного момента под действием механической нагрузки в реальном времени.
Метод магнитного потока: Измерение изменения потока через катушку, обернутую вокруг образца, при приложении напряжения.
Оптические и интерферометрические методы: Используются для косвенной оценки магнитных эффектов через измерение малых деформаций и их влияния на магнитные свойства.
Наибольший интерес представляют сплавы на основе железа, никеля, кобальта, а также термоупругие магнитные материалы:
Ферриты и железные сплавы: Проявляют умеренный эффект, но обладают высокой стабильностью и долговечностью.
Сплавы типа Terfenol-D (Tb-Dy-Fe): Обладают чрезвычайно высокой обратной магнитострикцией, что делает их эффективными в актуаторах и сенсорах.
Аморфные и нанокристаллические магнитные материалы: Отличаются низкой кристаллографической анизотропией и высокой чувствительностью к механическим напряжениям.
Эффект обратной магнитострикции нашел широкое применение в современных технологиях:
Сенсорные устройства: Преобразование механической нагрузки в электрические сигналы через магнитные изменения.
Актуаторы и микроприводы: Управление движением или силой на основе изменения магнитного состояния материала при приложении напряжения.
Энергетические преобразователи: Использование механических вибраций для генерации электрического сигнала через магнитострикционные цепи.
Магнитные памяти и магнитоуправляемые элементы: Контроль магнитного состояния локально при механическом воздействии, что важно для MEMS-технологий.