Магнетизм в монослойных материалах

Монослойные материалы, такие как графен, переходные металл-дихалькогениды (TMDs) и двуатомные слоистые структуры, обладают уникальными электронными свойствами, которые сильно отличаются от объемных кристаллов. В основе магнетизма в этих системах лежат особенности спиновой структуры, квантовые эффекты и локализация электронов.


Электронная структура и роль спина

В монослойных материалах низкая размерность приводит к усилению квантовых флуктуаций. Электроны, ограниченные в двумерной плоскости, демонстрируют повышенную чувствительность к взаимодействиям спин-спин и спин-орбитальному взаимодействию.

  • Графен: в идеальном графене отсутствует ферромагнетизм из-за полупроводниковой структуры с линейной зонной структурой (дираковские конусы). Магнитные свойства могут возникать через:

    • дефекты (вакансии, примеси);
    • края нанолент (zigzag-конфигурации проявляют спиновую поляризацию);
    • адсорбцию атомов с магнитным моментом.
  • TMDs (MoS₂, WS₂, WSe₂): спин-орбитальное расщепление валентной зоны обеспечивает изоляцию спиновых подуровней, что приводит к спиновой долинной селективности и возможности управления спиновыми токами при оптическом возбуждении.


Механизмы формирования магнетизма

  1. Локализованные моменты дефектов

    • Вакансии атомов или междоузловые дефекты создают локализованные спины.
    • Взаимодействие локализованных моментов может приводить к ферро- или антиферромагнитному упорядочению.
    • Пример: одноатомные вакансии в графене могут генерировать момент ~1 μ_B (магнитон Бора).
  2. Краевой магнетизм

    • Края графеновых нанолент с зигзагообразной конфигурацией демонстрируют спиновую поляризацию вдоль границы.
    • Распределение спинов: ферромагнитная корреляция вдоль края, антиферромагнитная — между противоположными краями.
  3. Спин-орбитальные эффекты

    • В TMDs и подобных системах сильное спин-орбитальное взаимодействие вызывает расщепление валентных и проводящих зон.
    • Это обеспечивает стабилизацию определённых спиновых конфигураций даже при отсутствии внешнего магнитного поля.
  4. Индуцированный магнетизм через адсорбцию

    • Металлы 3d (Fe, Co, Ni) на поверхности графена или TMDs создают локальные магнитные моменты.
    • Взаимодействие с π-электронами поверхности может усиливать или подавлять спиновую поляризацию.

Модели взаимодействия спинов

  • Модель Хайзенберга: описывает прямое взаимодействие локальных моментов через обменное взаимодействие JSi ⋅ Sj.
  • Модель Рудермана-Киттеля-Касюя (RKKY): косвенное взаимодействие через проводящие электроны. В монослойных материалах оно демонстрирует аномальные расстояниевые зависимости из-за двумерного характера электронного газа.
  • Д-дипольные и анизотропные взаимодействия: становятся значительными при сильных спин-орбитальных эффектах, что характерно для TMDs и функционализированных графенов.

Влияние внешних факторов

  1. Электрическое поле

    • В TMDs электрическое поле может управлять долинами и спинами, создавая электрически управляемый спиновый ток.
  2. Магнитное поле

    • Вызывает Зеемановское расщепление спиновых уровней;
    • В комбинации с дефектами или адсорбированными атомами усиливает локальный магнетизм.
  3. Напряжение и деформация

    • Стрейн-механика изменяет расстояния между атомами, что модифицирует обменные константы и спин-орбитальные эффекты;
    • В графене напряжение может индуцировать краевой магнетизм даже в бездефектных нанолентах.

Методы экспериментальной оценки магнетизма

  • Сканирующая туннельная микроскопия с СПИНОВЫМ разрешением (SP-STM): позволяет визуализировать локальные моменты.
  • Магнитный резонанс (EPR/ESR): фиксирует спиновые состояния дефектов и примесей.
  • SQUID-магнетометрия: измеряет суммарный магнитный момент образца с высокой чувствительностью.
  • Оптические методы (Circular Dichroism, Kerr Effect): выявляют спиновые и долинные поляризации в TMDs.

Потенциал для спинтронных приложений

  • Спиновая логика: управление спинами в двумерных материалах позволяет создавать элементы памяти и процессоры с низким энергопотреблением.
  • Долинная спинтроника: совмещение долинного и спинового управления даёт возможность разработки квантовых битов, управляемых оптически.
  • Интерфейсные магнетики: сочетание графена с ферромагнитными подложками или слоями позволяет индуцировать магнетизм и контролировать спиновые токи на наноуровне.