Полуметаллы (или ферримагнитные полуметаллы) представляют собой
материалы, у которых электронная структура характеризуется полной
спиновой поляризацией на уровне Ферми. Такие материалы обладают
уникальной особенностью: электроны одного спина демонстрируют
металлическое поведение, тогда как электроны противоположного спина
испытывают запрещенную зону, как в полупроводниках.
Типичными кристаллическими структурами полуметаллов являются:
- Цинкоблендовая структура (Zinc Blende) –
наблюдается у соединений типа CrAs и MnAs.
- Гексагональная и кубическая решетка – характерны
для Heusler-сплавов.
Особое значение кристаллографическая структура имеет для
спиновой анизотропии и эффекта переноса
спина, поскольку ориентация атомных слоев напрямую влияет на
величину спиновой поляризации и энергетический барьер для
спин-переходов.
Электронная
структура и спиновая поляризация
Главной особенностью полуметаллов является 100% спиновая
поляризация на уровне Ферми. Это означает:
$$
P = \frac{D_\uparrow(E_F) - D_\downarrow(E_F)}{D_\uparrow(E_F) +
D_\downarrow(E_F)} \approx 1
$$
где D↑(EF)
и D↓(EF)
— плотности состояний для спинов вверх и вниз на уровне Ферми.
Ключевые моменты:
- Для одного из спинов разрешенные энергетические состояния пересекают
уровень Ферми, обеспечивая проводимость.
- Для противоположного спина существует запрещенная зона,
препятствующая проведению тока.
- Такое распределение приводит к уникальной возможности использования
полуметаллов в спинтронных устройствах, где требуется высокая спиновая
селективность.
Спиновые взаимодействия
В полуметаллах наблюдаются следующие спиновые механизмы:
- Обменное взаимодействие (Exchange Interaction) –
основа формирования спиновой поляризации.
- Спин–орбитальное взаимодействие (Spin–Orbit Coupling,
SOC) – вызывает анизотропию спинового тока и может индуцировать
эффект квантового спинового Холла в тонких пленках.
- Дипольное взаимодействие спинов – влияет на
стабильность магнитной конфигурации и времена релаксации.
Особое внимание уделяется обменной спиновой
анизотропии, которая определяет энергетические предпочтения
ориентации магнитного момента относительно кристаллографических
осей.
Тонкие пленки и интерфейсы
Полуметаллы в форме тонких пленок демонстрируют ряд явлений,
критически важных для спинтроники:
- Спин-поляризованный ток через интерфейс –
эффективность передачи спина через границу металл–полупроводник
определяется согласованностью электронной структуры и сопротивлением
спина.
- Интерфейсная анизотропия – влияет на направление
намагниченности и стабильность магнитных доменов.
- Туннельный спиновой эффект (TMR) – наблюдается в
магнитных туннельных соединениях, где один из электродов выполнен из
полуметалла, обеспечивая максимальную спиновую селективность.
Магнитные свойства и
динамика спинов
Полуметаллы проявляют ферримагнитное или ферромагнитное поведение с
высокими температурами Кюри (до 1000 К в некоторых Heusler-сплавах).
Ключевые параметры:
- Магнитный момент – как правило, строго связан с
числом валентных электронов (правило Слаттера для полуметаллов).
- Динамика спинов – описывается уравнением
Ландау–Лифшица–Гилберта:
$$
\frac{d\mathbf{M}}{dt} = -\gamma \mathbf{M} \times \mathbf{H}_{\rm eff}
+ \frac{\alpha}{M_s} \mathbf{M} \times \frac{d\mathbf{M}}{dt}
$$
где γ – гиромагнитное
отношение, α – параметр
демпфирования, $\mathbf{H}_{\rm eff}$ –
эффективное магнитное поле.
- В полуметаллах α обычно
низкий, что обеспечивает длительное время когерентной спиновой
прецессии, критичное для спинтронных логических элементов.
Применение в спинтронике
Полуметаллы являются ключевыми материалами для:
- Магнитных туннельных соединений (MTJ) с высоким
TMR.
- Спиновых фильтров – генерация тока с почти 100%
спиновой поляризацией.
- Магнитной памяти (MRAM) – использование
полуметаллов в качестве электродов обеспечивает низкое энергопотребление
и высокую надежность.
- Спинового переноса момента (STT) – в устройствах с
тонкими пленками полуметаллов ток эффективно переключает
магнитизацию.
Особенности:
- Полуметаллы позволяют уменьшить потери на рассеяние спина.
- Высокая температура Кюри обеспечивает стабильность работы при
широком диапазоне температур.
- Возможность интеграции с полупроводниковыми структурами открывает
путь к гибридной спинтронной электронике.