Динамическая теория дифракции

Основные положения динамической теории дифракции

Динамическая теория дифракции описывает взаимодействие когерентного излучения (рентгеновских лучей, электронов или нейтронов) с кристаллической решёткой с учётом многократного рассеяния волн внутри кристалла. В отличие от кинематической теории, которая предполагает однократное рассеяние и применима к тонким кристаллам или слабым рассеивателям, динамическая теория учитывает интерференцию волн, многократно дифрагированных различными атомными плоскостями. Это особенно важно при анализе монокристаллов большой толщины и при условиях сильного взаимодействия излучения с веществом.


Исходным пунктом является уравнение Гельмгольца для комплексной амплитуды электромагнитной волны внутри среды:

2E(r) + k2n2(r)E(r) = 0,

где $k = \frac{2\pi}{\lambda}$ — волновое число в вакууме, λ — длина волны, n(r) — показатель преломления, зависящий от координаты в кристалле.

В случае кристаллической структуры показатель преломления периодичен:

n2(r) = 1 + χ(r),

где χ(r) — пространственно периодическая восприимчивость, раскладываемая в ряд Фурье по векторам обратной решётки h:

χ(r) = ∑hχheih ⋅ r.


Приближение двух волн (двухлучевая дифракция)

В наиболее важном случае Брэгговской геометрии учитывают только две плоские волны внутри кристалла:

  1. Падающая волна с волновым вектором k0
  2. Дифрагированная волна с волновым вектором kh = k0 + h

Амплитуда поля в кристалле представляется в виде:

E(r) = E0eik0 ⋅ r + Eheikh ⋅ r.

Подстановка в уравнение Гельмгольца и выделение членов с одинаковыми экспонентами приводит к системе уравнений Такэдза (или уравнений динамической дифракции):

(k02 − k2)E0 + k2χ0E0 + k2χhEh = 0,

(kh2 − k2)Eh + k2χ0Eh + k2χhE0 = 0.


Условие Брэгга и параметр отклонения

Для идеального кристалла, удовлетворяющего условию Брэгга:

2dhsin θB = λ,

где dh — межплоскостное расстояние для плоскостей с индексами Миллера (hkl), θB — брэгговский угол.

При отклонении от точного условия вводится параметр отклонения:

$$ \eta = \frac{\sin\theta - \sin\theta_B}{\gamma_0}, $$

где γ0 = cos φ0 — направляющий косинус падающей волны относительно нормали к поверхности.


Собственные решения и дисперсионные поверхности

Система уравнений для E0 и Eh имеет нетривиальные решения при условии, что определитель коэффициентов равен нулю. Это даёт дисперсионное уравнение, описывающее две ветви поверхностей в пространстве волновых векторов — так называемые дисперсионные поверхности. Их пересечение определяет возможные состояния волн внутри кристалла.

В двухлучевом случае решение выражается через амплитуды:

E0(z) = C1eikz1z + C2eikz2z,

Eh(z) = ρ1C1eikz1z + ρ2C2eikz2z,

где ρ1, 2 — коэффициенты связи между основной и дифрагированной волнами, определяемые из уравнений динамической теории.


Эффекты, предсказанные динамической теорией

  1. Эффект экстинкции — уменьшение интегральной интенсивности дифрагированного пучка при увеличении толщины кристалла. В кинематической теории интенсивность росла бы линейно с числом рассеивающих слоёв, но в динамической — наблюдается насыщение из-за перераспределения энергии между волнами.
  2. Осцилляции Пенделя — периодическое перераспределение интенсивности между прямой и дифрагированной волной при прохождении через кристалл.
  3. Асимметрия кривых качания — изменение формы дифракционного пика в зависимости от геометрии Брэгга (симметричная или асимметричная схема).
  4. Анализ глубины проникновения — в динамической теории глубина, на которой волна эффективно взаимодействует с решёткой, определяется длиной экстинкции Λ, зависящей от величины структурного фактора.

Применения в экспериментальной физике

  • Точная кристаллография: учёт динамических эффектов необходим при определении структурных факторов из данных рентгеновской и нейтронной дифракции.
  • Синхротронная оптика: проектирование монохроматоров и кристаллических анализаторов с использованием кривых отражения, рассчитанных в динамическом приближении.
  • Изучение деформаций и дефектов: динамическая теория позволяет описывать дифракцию в изгибных и градиентно-деформированных кристаллах.
  • Обратная задача: по измеренным кривым отражения возможно определить параметры восприимчивости χh, а значит, и электронную плотность в кристалле.