Понятие и физическая природа экситонов
Экситон — это связанное состояние электрона и дырки в кристалле, возникающее в результате кулоновского притяжения между ними после оптического или электронного возбуждения. При поглощении фотона с энергией, превышающей ширину запрещённой зоны Eg, электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, оставляя в валентной зоне дырку. Взаимодействие между отрицательно заряженным электроном и положительно заряженной дыркой приводит к образованию квазичастицы — экситона, аналогичной по своей природе водородоподобному атому.
Энергетически экситон имеет энергию ниже края зоны проводимости на величину энергии связи Eb, которая зависит от диэлектрической проницаемости кристалла и эффективных масс электрона и дырки.
Типы экситонов
Ванье–Моттовские экситоны
Образуются в кристаллах с малой энергией связи (Eb порядка нескольких миллиэлектронвольт).
Радиус экситона aex значительно превышает постоянную решётки, и электрон с дыркой слабо локализованы относительно друг друга.
Хорошо описываются уравнением Шрёдингера для водородоподобной системы с учётом эффективных масс:
$$ E_n = E_g - \frac{\mu e^4}{2\hbar^2 \varepsilon^2 n^2} $$
где μ — приведённая масса системы электрон–дырка, ε — диэлектрическая проницаемость кристалла.
Френкелевские экситоны
Промежуточные типы
Энергетический спектр и динамика
Экситоны обладают дискретным энергетическим спектром, аналогичным спектру атома водорода, однако масштабы энергий и длин волн сильно изменены из-за больших диэлектрических постоянных и малых эффективных масс. Движение центра масс экситона в кристалле описывается квазиклассическим образом, и его волновой вектор k определяет дисперсионное соотношение:
$$ E(\mathbf{k}) = E_0 + \frac{\hbar^2 k^2}{2M} $$
где M = me* + mh* — полная эффективная масса экситона.
Время жизни экситонов зависит от вероятности рекомбинации и может изменяться от пикосекунд в металлоподобных системах до наносекунд и более в полупроводниках и диэлектриках.
Механизмы генерации и рекомбинации
Генерация
Рекомбинация
Экситонные эффекты в оптических спектрах
В спектрах поглощения и фотолюминесценции полупроводников часто наблюдаются резкие пики ниже края запрещённой зоны — это линии экситонных переходов. Их наличие указывает на сильное кулоновское взаимодействие в системе электрон–дырка.
Особенности:
Экситоны в низкоразмерных структурах
В квантовых ямах, квантовых нитях и точках пространственная локализация усиливает кулоновское взаимодействие, что приводит к:
В двумерных системах (например, в монослоях MoS₂ и аналогичных TMD-материалах) экситонная энергия связи может достигать сотен миллиэлектронвольт, что делает экситоны устойчивыми при комнатной температуре.
Комплексные экситонные образования
Роль экситонов в современных приложениях
Экситоны лежат в основе работы множества оптоэлектронных устройств:
Кроме того, управление экситонными состояниями играет ключевую роль в квантовой оптике, фотонике и разработке новых типов квантовых вычислительных элементов.