Феномен локализации электрона представляет собой ключевое явление в физике конденсированного состояния, при котором волновая функция электрона становится пространственно локализованной из-за наличия беспорядка или квазипериодической структуры в системе. Данное явление существенно влияет на электронный транспорт, подавляя диффузию носителей заряда и приводя к переходу металл–диэлектрик даже при отсутствии взаимодействия между электронами.
В идеализированных кристаллах без дефектов волновые функции электронов описываются как делокализованные функции Блоха, распространяющиеся на всю систему. Однако наличие беспорядка (примесей, дефектов, флуктуаций потенциала) приводит к множественным упругим рассеяниям. При определённых условиях интерференция этих многократно рассеянных волн может вызвать полную пространственную локализацию электрона.
Главный механизм — интерференционное подавление распространения. Электрон, двигаясь в случайном потенциале, многократно отражается, и вероятностные амплитуды различных траекторий интерферируют. При сильном беспорядке эта интерференция становится конструктивной для возвратных траекторий, что увеличивает вероятность нахождения электрона вблизи исходной точки.
Одной из фундаментальных теоретических моделей локализации является модель Андерсона. Она рассматривает одномерную или многомерную решётку, в узлах которой электрон может находиться с энергией, зависящей от случайного потенциала ϵi. Гамильтониан модели записывается как:
H = ∑iϵici†ci − t∑⟨i, j⟩(ci†cj + cj†ci)
где:
При увеличении амплитуды беспорядка W по сравнению с t происходит переход от делокализованных состояний к локализованным.
Ключевой характеристикой является длина локализации ξ — характерный масштаб, на котором амплитуда волновой функции спадает экспоненциально:
|ψ(r)| ∼ e−r/ξ
В одно- и двумерных системах при наличии произвольного беспорядка все состояния при T = 0 формально локализованы, хотя при слабом беспорядке длина локализации может превышать размеры образца. В трёхмерных системах существует критическая энергия — энергия подвижности Ec, ниже или выше которой состояния становятся локализованными.
При увеличении степени беспорядка система может пройти через переход Андерсона — квантовый фазовый переход, при котором подвижные носители исчезают, и система переходит в изолятор. Вблизи точки перехода наблюдается критическое поведение длины локализации:
ξ ∝ |W − Wc|−ν
где Wc — критическая амплитуда беспорядка, ν — критический показатель.
Размерность играет фундаментальную роль:
Слабая локализация — это предвестник полной локализации, наблюдаемый при малом беспорядке и связанный с небольшим подавлением проводимости из-за интерференции обратных траекторий. Её проявления:
Сильная локализация — состояние, при котором волновые функции экспоненциально затухают, а транспорт носит туннельный характер.
Локализация проявляется в:
Взаимодействие электронов усложняет картину локализации. Оно может как усиливать, так и ослаблять эффект. Например:
Магнитное поле разрушает когерентность замкнутых траекторий, что уменьшает эффект слабой локализации. При этом возможны:
Локализация имеет аналоги в оптических, акустических и атомных системах: