Плотность состояний в низкоразмерных системах

Общие положения

Плотность состояний (ПС) — фундаментальная характеристика квантовых систем, описывающая число доступных энергетических уровней в единичном интервале энергии и в единичном объёме (или площади, или длине — в зависимости от размерности системы). Для низкоразмерных структур, таких как квантовые ямы (2D), квантовые нити (1D) и квантовые точки (0D), поведение ПС существенно отличается от трёхмерного случая. Эти различия напрямую связаны с изменением дисперсионного закона, граничными условиями и квантованием движения носителей заряда.

Важность ПС в физике конденсированного состояния определяется тем, что она входит в расчёты тепловых, оптических, транспортных и магнитных свойств материалов. В частности, она влияет на спектры поглощения и испускания, концентрацию носителей при заданной температуре, коэффициенты проводимости и теплоёмкости.


Формальное определение

Плотность состояний g(E) определяется как:

$$ g(E) = \frac{dN(E)}{dE} $$

где N(E) — общее число состояний с энергией меньше E.

В трёхмерном случае при параболической дисперсии $E(\mathbf{k}) = \frac{\hbar^2 k^2}{2m^*}$ плотность состояний имеет вид:

$$ g_{3D}(E) = \frac{1}{2\pi^2} \left( \frac{2m^*}{\hbar^2} \right)^{3/2} \sqrt{E - E_c} $$

где Ec — энергия дна зоны, m* — эффективная масса носителей.

Однако при уменьшении размерности система демонстрирует совершенно иную зависимость g(E) от энергии.


Двумерные системы (квантовые ямы)

Для двумерных электронных газов движение ограничено по одной координате, что приводит к квантованию энергии вдоль этой оси. Дисперсия в плоскости сохраняется параболической:

$$ E_{n,\mathbf{k}_\parallel} = E_n + \frac{\hbar^2 k_\parallel^2}{2m^*} $$

где En — энергия квантованного подуровня.

В этом случае ПС для одного подуровня оказывается постоянной:

$$ g_{2D}(E) = \frac{m^*}{\pi \hbar^2}, \quad E \ge E_n $$

Каждый новый подуровень добавляет ступеньку в функцию g(E). Такая “ступенчатая” зависимость является отличительной особенностью двумерных систем и хорошо наблюдается в спектрах оптического поглощения.


Одномерные системы (квантовые нити)

В квантовых нитях движение свободно только вдоль одной координаты, а по двум другим — квантовано. Дисперсионный закон для каждого поперечного модового состояния:

$$ E_{n,m,k} = E_{n,m} + \frac{\hbar^2 k^2}{2m^*} $$

где En, m — энергия квантованного модового состояния в поперечном сечении.

ПС в 1D ведёт себя как:

$$ g_{1D}(E) = \frac{1}{\pi} \left( \frac{m^*}{2\hbar^2 (E - E_{n,m})} \right)^{1/2} $$

Здесь возникает корневая особенность — при E → En, m+ плотность состояний стремится к бесконечности, формируя так называемые сингулярности Ван Хова. Эти особенности значительно усиливают взаимодействие света с квантовыми нитями вблизи краёв подзон.


Нулемерные системы (квантовые точки)

В квантовых точках движение носителей заряда квантовано во всех трёх направлениях. Энергетический спектр дискретен, а ПС представляет собой набор δ-функций:

g0D(E) = ∑nδ(E − En)

В реальных системах, из-за уширения уровней (фононного, неоднородного, радиационного), δ-функции заменяются на гауссовые или лоренцевы пики.

Нулемерные системы проявляют свойства, близкие к атомам (“искусственные атомы”), что делает их крайне перспективными для квантовой электроники и квантовой криптографии.


Сравнительный анализ поведения ПС в различных размерностях

  1. 3D: $g(E) \propto \sqrt{E - E_c}$ — плавный рост с энергией.
  2. 2D: g(E) = const — ступенчатая зависимость с резкими переходами между уровнями.
  3. 1D: $g(E) \propto 1 / \sqrt{E - E_n}$ — сингулярности на краях подзон.
  4. 0D: дискретный набор уровней — δ-пики.

Физические следствия и наблюдаемые эффекты

  • В 1D и 0D системах резонансные эффекты и аномально высокое поглощение на краях подзон приводят к значительному усилению оптических переходов.
  • В 2D системах благодаря постоянной ПС упрощаются расчёты концентрации носителей при заданной температуре.
  • Дискретность спектра в 0D системах позволяет реализовать лазеры с узкими линиями генерации и однофотонные источники.
  • В полупроводниковых гетероструктурах изменение ПС управляет транспортными свойствами — например, ступенчатое изменение проводимости при изменении напряжения затвора в квантовых точках и каналах.

Методы экспериментального определения ПС

  • Туннельная спектроскопия — позволяет напрямую измерять энергетическую зависимость ПС, особенно в низкоразмерных структурах.
  • Фотолюминесцентная спектроскопия — по спектру излучения можно восстановить уровни энергии и характер ПС.
  • Магнитотранспортные измерения — наблюдение осцилляций Шубникова — де Гааза и квантового эффекта Холла даёт информацию о ступенчатой структуре ПС.
  • Сканирующая туннельная микроскопия — позволяет картировать ПС с пространственным разрешением.