Общая формулировка правила Маттиссена
В металлах электрическое сопротивление при конечных температурах является результатом суммарного действия нескольких независимых механизмов рассеяния электронов. Правило Маттиссена утверждает, что полное сопротивление материала можно представить как алгебраическую сумму вкладов от различных процессов:
ρ(T) = ρнепр + ρфонон(T) + ρмагн(T) + …
Здесь
Правило Маттиссена предполагает, что различные механизмы рассеяния электронов действуют независимо и их сопротивления суммируются напрямую, что справедливо, когда времена релаксации, соответствующие разным процессам, не зависят друг от друга.
Микроскопическая основа
В рамках модели Друде–Зоммерфельда удельное сопротивление связано с временем релаксации τ по формуле:
$$ \rho = \frac{m}{n e^2 \tau} $$
Если в системе существуют несколько независимых каналов рассеяния, то полная частота столкновений электронов определяется как сумма частот, обусловленных каждым каналом:
$$ \frac{1}{\tau_{\Sigma}} = \frac{1}{\tau_1} + \frac{1}{\tau_2} + \dots $$
Подставив это выражение в формулу для сопротивления, получаем:
ρΣ = ρ1 + ρ2 + …
Таким образом, линейная аддитивность сопротивлений вытекает из аддитивности обратных времен релаксации при независимых процессах рассеяния.
Температурная зависимость с учётом различных механизмов
При низких температурах (T ≪ ΘD, где ΘD — температура Дебая)
Вклад от фононного рассеяния пренебрежимо мал (ρфонон ∝ T5 по закону Блоха–Грюнезена).
Сопротивление определяется в основном рассеянием на примесях и дефектах:
ρ(T) ≈ ρнепр.
В промежуточной области температур (T ≲ ΘD)
При высоких температурах (T ≫ ΘD)
Фононное рассеяние становится линейным:
ρфонон(T) ∝ T.
Полное сопротивление:
ρ(T) ≈ ρнепр + αT,
где α — коэффициент, зависящий от интенсивности электрон-фононного взаимодействия.
Примесное и дефектное рассеяние
Наличие примесей в кристалле создаёт локальные возмущения потенциала, на которых электроны рассеиваются упруго. Такой механизм не зависит от температуры (при условии, что не происходит структурных фазовых переходов). Концентрация примесей c влияет на сопротивление по закону:
ρнепр ∝ c
Эта составляющая определяет остаточное сопротивление ρ0, измеряемое при T → 0.
Рассеяние на фононах
При повышении температуры тепловые колебания атомов усиливаются, что приводит к увеличению вероятности неупругих столкновений электронов с фононами. Модель Блоха–Грюнезена описывает этот процесс:
$$ \rho_{\text{фонон}}(T) = C \left(\frac{T}{\Theta_D}\right)^5 \int_0^{\Theta_D/T} \frac{x^5}{(e^x - 1)(1 - e^{-x})} dx $$
Здесь C — константа, зависящая от материала.
Ограничения применимости правила Маттиссена
Хотя правило Маттиссена широко используется для анализа экспериментальных данных, оно не является строго универсальным:
Экспериментальная проверка
Методика проверки правила Маттиссена обычно включает измерение сопротивления образца в широком температурном диапазоне до криогенных температур. Постоянная часть графика ρ(T) при T → 0 соответствует ρнепр, а температурно-зависимая часть отделяется с использованием аппроксимации, вытекающей из модели Блоха–Грюнезена.