Приближение независимых электронов основано на предположении, что электроны в кристалле можно рассматривать как движущиеся в среднем периодическом потенциале, создаваемом атомами и остальными электронами, но без прямого учета их взаимного кулоновского взаимодействия в явной форме. Такое упрощение позволяет свести задачу к изучению движения отдельного электрона в эффективном поле, что значительно облегчает теоретический анализ.
В реальных кристаллах взаимодействия между электронами существуют и играют важную роль, однако во многих случаях (особенно для металлов и полупроводников при умеренных температурах) их вклад можно учесть косвенно, через так называемый эффективный потенциал.
Для полной системы из N электронов гамильтониан в нерелятивистском приближении записывается как:
$$ \hat{H} = \sum_{i=1}^N \left[ \frac{\hat{\mathbf{p}}_i^2}{2m} + U_{\text{ion}}(\mathbf{r}_i) \right] + \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \frac{e^2}{|\mathbf{r}_i - \mathbf{r}_j|} $$
Здесь:
В приближении независимых электронов межэлектронное взаимодействие заменяется усреднённым эффектом, включённым в Ueff(r). Тогда гамильтониан принимает вид:
$$ \hat{H} \approx \sum_{i=1}^N \left[ \frac{\hat{\mathbf{p}}_i^2}{2m} + U_{\text{eff}}(\mathbf{r}_i) \right] $$
Каждый электрон рассматривается независимо, а полная волновая функция системы строится как антисимметризированный произведённый функционал (детерминант Слэтера) из одночастичных функций.
В кристалле потенциал Ueff(r) обладает периодичностью, совпадающей с периодичностью решётки:
Ueff(r + R) = Ueff(r), R ∈ векторы решётки
В силу этой периодичности справедлива теорема Блоха, утверждающая, что решения одночастичного уравнения Шрёдингера имеют вид:
ψnk(r) = eik ⋅ runk(r),
где unk(r) — функция, обладающая периодичностью решётки, n — номер зоны, k — квазиимпульс.
Приближение независимых электронов приводит к естественному объяснению возникновения энергетических зон в твердых телах. Решая уравнение Шрёдингера с периодическим потенциалом, получают дискретные по n и непрерывные по k энергетические уровни En(k).
Зонная структура в этом приближении служит основой для понимания свойств проводников, полупроводников и диэлектриков.
В приближении независимых электронов поведение электрона в кристалле часто описывают через эффективную массу, определяемую кривизной зависимости E(k):
$$ \frac{1}{m^*} = \frac{1}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2} $$
Эффективная масса может быть как положительной, так и отрицательной, что отражает особенности движения носителей заряда в различных участках зоны.
Хотя приближение независимых электронов чрезвычайно полезно и лежит в основе зонной теории, оно имеет ряд ограничений:
Приближение независимых электронов часто служит отправной точкой для более сложных теоретических схем:
Эти подходы позволяют улучшить модель, сохранив при этом удобную форму описания, унаследованную от идеи независимых электронов.