Размерное квантование
Физическая природа размерного квантования
Размерное квантование возникает в системах, в которых движение
носителей заряда или других квазичастиц ограничено одной или несколькими
пространственными координатами до размеров, сравнимых с их длиной волны
де Бройля. При таких условиях энергия частиц перестает изменяться
непрерывно и принимает дискретные значения, обусловленные граничными
условиями и геометрией потенциальной ямы. Этот эффект проявляется как в
электронных, так и в фотонных, фононных и магнонных системах.
Математическое описание
Для свободного электрона в трехмерном пространстве энергия задается
выражением:
$$
E = \frac{\hbar^2}{2m} \left( k_x^2 + k_y^2 + k_z^2 \right)
$$
При введении ограничения по одной координате (например, z), в пределах потенциальной ямы
шириной Lz, вектор
волнового числа kz может
принимать только дискретные значения:
$$
k_z = \frac{n \pi}{L_z}, \quad n = 1, 2, 3, ...
$$
Тогда энергия квантуется по формуле:
$$
E_{n}(k_x, k_y) = \frac{\hbar^2}{2m} \left( k_x^2 + k_y^2 + \left(
\frac{n \pi}{L_z} \right)^2 \right)
$$
Таким образом, при уменьшении Lz
энергетические уровни раздвигаются, а спектр системы становится
квазидвумерным.
Классификация систем по размерности квантования
- Квантовые ямы (2D-системы) – ограничение движения
вдоль одной оси, носители свободно движутся в двух других направлениях.
Пример: полупроводниковые сверхрешетки, тонкие пленки GaAs/AlGaAs.
- Квантовые нити (1D-системы) – движение ограничено
вдоль двух координат, носители перемещаются только вдоль одной. Пример:
нанопроволоки, углеродные нанотрубки.
- Квантовые точки (0D-системы) – ограничение движения
по всем трем координатам, что приводит к полному дискретному спектру.
Пример: коллоидные нанокристаллы, самоорганизованные островки InAs.
Влияние на плотность состояний
Размерное квантование резко изменяет зависимость плотности
электронных состояний (DOS) от энергии:
- 3D-системы: $\rho(E)
\propto \sqrt{E}$
- 2D-системы: ρ(E) = const для каждого
подуровня n
- 1D-системы: $\rho(E)
\propto 1/\sqrt{E - E_n}$ — наблюдаются резкие пики
(сингулярности Ван Хова)
- 0D-системы: DOS состоит из дельта-функций,
соответствующих дискретным уровням
Экспериментальные проявления
- Квантовый эффект Холла – в 2D-системах, при низких
температурах и сильных магнитных полях, проводимость квантуется
ступенчато.
- Осцилляции Шубникова–де Хааза – периодические
изменения сопротивления в зависимости от обратного магнитного поля.
- Квантовые размеры в оптике – сдвиг края поглощения
и люминесценции в полупроводниках при уменьшении толщины слоя.
- Туннельная спектроскопия – выявление дискретных
уровней в наночастицах и квантовых точках.
Влияние на электронные свойства
- Повышение энергии основного состояния – при
уменьшении размеров системы из-за возрастания кинетической энергии
носителей.
- Изменение ширины запрещенной зоны – в
полупроводниках при квантовом сжатии запрещенная зона увеличивается
(синее смещение спектров поглощения и излучения).
- Сильное влияние на подвижность носителей –
квантовые ограничения изменяют рассеяние и могут увеличивать время жизни
квазичастиц.
Применения
- Лазеры на квантовых ямах и квантовых точках, обеспечивающие высокую
эффективность и низкий порог генерации.
- Высокочувствительные фотоприемники в ИК- и видимом диапазонах.
- Элементы квантовой криптографии и квантовых вычислителей.
- Транзисторы нового поколения на основе одномерных и нульмерных
структур.
Взаимодействие с внешними полями
Размерное квантование усиливает влияние магнитного и электрического
полей на систему. Например, в 2D-системах энергия Ландау квантуется по
формуле:
$$
E_{n,m} = \hbar \omega_c \left( m + \frac{1}{2} \right) + E_n
$$
где $\omega_c = \frac{eB}{m^*}$ —
циклотронная частота, а En — вклад от
квантового ограничения.
Тонкости моделирования
При расчетах квантовых размерных эффектов необходимо учитывать:
- Несовершенство границ и шероховатость стенок потенциальной ямы.
- Анизотропию эффективной массы носителей.
- Влияние кулоновских взаимодействий (особенно в нульмерных
системах).
- Возможные нелинейные эффекты при высоких плотностях
возбуждения.