Общие сведения и физическая природа сегнетоэлектричества
Сегнетоэлектрики — это кристаллические диэлектрики, обладающие самопроизвольной поляризацией в определённом диапазоне температур, без внешнего электрического поля. Данное свойство обусловлено специфической кристаллической структурой, при которой положение ионов в узлах решётки несимметрично относительно центра симметрии. Это приводит к наличию электрического дипольного момента в элементарной ячейке кристалла.
В сегнетоэлектрических материалах направление вектора поляризации можно изменять внешним электрическим полем, причём процесс сопровождается гистерезисом — характерным признаком сегнетоэлектрического состояния.
Структурные условия возникновения сегнетоэлектричества
Сегнетоэлектрические свойства проявляются в материалах с определёнными симметрийными требованиями:
Наиболее распространённые кристаллические структуры сегнетоэлектриков:
Самопроизвольная поляризация и её температурная зависимость
При температурах ниже некоторой критической величины — температуры Кюри TC — сегнетоэлектрик находится в состоянии с упорядоченными дипольными моментами. Это связано с фазовым переходом второго рода: кристалл переходит из параэлектрической фазы (высокотемпературной, с центром симметрии и нулевой средней поляризацией) в сегнетоэлектрическую фазу (низкотемпературную, без центра симметрии).
Вблизи TC поляризация Ps изменяется по закону:
Ps(T) ∝ (TC − T)1/2, T < TC
Эта зависимость хорошо описывается в рамках теории Ландау фазовых переходов.
Доменные структуры
В сегнетоэлектрическом состоянии кристалл разделяется на области — домены, в которых вектор поляризации ориентирован одинаково. Домены формируются для минимизации электростатической и упругой энергии системы. Границы между доменами — доменные стенки — могут смещаться под действием внешнего электрического поля, что вносит значительный вклад в наблюдаемую диэлектрическую проницаемость.
Доменные стенки бывают:
Гистерезисная зависимость
При циклическом изменении внешнего электрического поля сегнетоэлектрик демонстрирует петлю гистерезиса. Её основные параметры:
Форма и площадь петли гистерезиса зависят от частоты, температуры и дефектной структуры кристалла.
Теория Ландау–Гинзбурга–Девоншира
Для описания сегнетоэлектрических фазовых переходов используется разложение свободной энергии в ряд по степеням поляризации P:
$$ F(P, T) = F_0 + \frac{\alpha}{2}(T - T_C)P^2 + \frac{\beta}{4}P^4 + \frac{\gamma}{6}P^6 + \dots $$
Коэффициенты β > 0 и γ > 0 обеспечивают устойчивость системы. Минимизация F по P позволяет получить температурную зависимость Ps(T) и определить условия стабильности различных фаз.
Диэлектрическая проницаемость и её аномалии
В параэлектрической фазе (T > TC) диэлектрическая проницаемость ε подчиняется закону Кюри–Вейса:
$$ \varepsilon = \frac{C}{T - T_0} $$
где C — константа Кюри, а T0 близка к TC. В сегнетоэлектрической фазе поведение ε более сложное и определяется не только внутренними колебаниями диполей, но и движением доменных стенок.
Примеры сегнетоэлектриков и их особенности
Применения
Сегнетоэлектрики используются в: