Физическая природа слабой локализации
Слабая локализация представляет собой квантовое интерференционное явление, возникающее при переносе носителей заряда в сильно разупорядоченных проводниках. В отличие от сильной локализации (локализации Андерсона), при которой волновые функции электронов экспоненциально затухают в пространстве, слабая локализация связана с небольшой, но измеримой коррекцией к классической проводимости, вызванной когерентной интерференцией квантовых амплитуд рассеяния.
В основе явления лежит тот факт, что в диффузионном режиме электроны могут многократно рассеиваются на примесях и дефектах, формируя замкнутые траектории. Для таких замкнутых петель две амплитуды прохождения электрона по часовой стрелке и против часовой стрелки являются комплексно-сопряжёнными и, при сохранении фазовой когерентности, интерферируют конструктивно в обратном направлении, что увеличивает вероятность обратного рассеяния. Этот процесс снижает проводимость по сравнению с классическим значением, предсказанным моделью Друде.
Когерентность и длина фазовой релаксации
Ключевым параметром слабой локализации является длина фазовой когерентности Lϕ, определяющая масштаб, на котором сохраняется фаза волновой функции электрона. Эта длина зависит от температуры, концентрации примесей и взаимодействий между электронами. Основные механизмы разрушения фазовой когерентности:
Условие проявления слабой локализации:
Lϕ ≫ l
где l — длина свободного пробега носителей.
Квантовые поправки к проводимости
В теории слаборазупорядоченных металлов поправка к проводимости Δσ для слабой локализации в двумерном случае имеет вид:
$$ \Delta \sigma(B=0) = -\frac{e^2}{2\pi^2 \hbar} \ln \frac{L_\phi}{l} $$
Отрицательный знак означает уменьшение проводимости из-за усиления обратного рассеяния.
При наложении магнитного поля эффект когерентной интерференции подавляется, так как в замкнутых траекториях появляется дополнительная магнитная фаза (фаза Ааронова–Бома), разрушающая конструктивную интерференцию. Магнитопроводимость в слабой локализации в двумерном случае описывается формулой Хикса–Лернера:
$$ \Delta \sigma(B) = -\frac{e^2}{2\pi^2 \hbar} \left[ \psi\left( \frac{1}{2} + \frac{\hbar}{4eBL_\phi^2} \right) - \ln \left( \frac{\hbar}{4eBL_\phi^2} \right) \right] $$
где ψ — дигамма-функция.
Размерность системы и особенности поведения
Поведение слабой локализации существенно зависит от размерности системы:
Низкоразмерные системы, такие как тонкие металлические плёнки, квантовые проволоки и двумерные электронные газы в гетероструктурах, являются идеальными объектами для изучения слабой локализации.
Влияние спин-орбитального взаимодействия
При наличии сильного спин-орбитального взаимодействия интерференция в обратном направлении становится деструктивной, что приводит к слабой анти-локализации — положительной поправке к проводимости. Это наблюдается, например, в системах с тяжёлыми атомами или в гетероструктурах на основе GaAs, Bi2Se3 и других топологических изоляторов.
Экспериментальные проявления
Слабая локализация наблюдается в экспериментах по измерению магнитопроводимости при низких температурах. Основные признаки:
Теоретические модели
Описание слабой локализации базируется на диаграммных методах теории возмущений по беспорядку. Основной вклад дают так называемые кооперативные диаграммы (cooperons), описывающие парные траектории, и диффузоны, отвечающие за классический транспорт. Для учёта магнитного поля используется минимальное замещение в уравнении для кооперативного пропагатора:
p → p − eA
где A — вектор-потенциал магнитного поля.