Микроскопическая природа теплопроводности
Теплопроводность в конденсированных средах определяется способностью вещества переносить тепловую энергию от одной области к другой за счёт движения микроскопических носителей энергии. В зависимости от природы материала и условий процесса, такими носителями могут быть:
Для большинства диэлектриков и полупроводников основной вклад в теплопроводность вносят фононы, тогда как в чистых металлах доминирует электронный перенос тепла.
Формулировка закона теплопроводности
В макроскопическом описании теплопроводность подчиняется закону Фурье:
q = −κ∇T,
где q — вектор плотности теплового потока, κ — коэффициент теплопроводности (Вт/(м·К)), ∇T — градиент температуры.
Отрицательный знак отражает направление теплового потока от области с более высокой температурой к области с более низкой температурой.
Теплопроводность в металлах
В металлах теплоперенос осуществляется преимущественно за счёт движения электронов проводимости. Приближённое соотношение между теплопроводностью и электропроводностью в металлах задаётся законом Видемана–Франца:
$$ \frac{\kappa}{\sigma T} \approx L, $$
где σ — электропроводность, T — абсолютная температура, L — постоянная Лоренца (L ≈ 2, 44 × 10−8 Вт·Ом/К2).
Данное соотношение следует из модели свободных электронов, предполагающей, что механизмы рассеяния, определяющие электрическую и тепловую проводимость, совпадают.
Фононная теплопроводность
В изолирующих кристаллах перенос тепла осуществляется фононами. Коэффициент теплопроводности фононного газа можно записать в виде:
$$ \kappa_{\text{ф}} = \frac{1}{3} C_v v_s \ell, $$
где Cv — объёмная теплоёмкость при постоянном объёме, vs — средняя скорость звука в кристалле, ℓ — средняя длина свободного пробега фононов.
Основные механизмы рассеяния фононов:
Температурная зависимость теплопроводности
Квантово-статистическое описание
Транспортные свойства фононов и электронов можно описывать в рамках уравнения Больцмана для функции распределения f(k, r, t). Для стационарного случая и однородного материала оно принимает вид:
$$ \mathbf{v_k} \cdot \nabla T \frac{\partial f_0}{\partial T} = -\frac{\delta f}{\tau}, $$
где f0 — равновесное распределение (Ферми–Дирака для электронов или Бозе–Эйнштейна для фононов), τ — время релаксации. Время релаксации учитывает суммарное влияние всех процессов рассеяния.
Влияние структуры и размерных эффектов
В наноструктурированных материалах теплопроводность часто снижается из-за дополнительного рассеяния носителей на границах и поверхностях. Это свойство используется в термоэлектрических материалах, где необходимо минимизировать теплопроводность при сохранении высокой электрической проводимости.
Особое значение имеют:
Анизотропия теплопроводности
В кристаллах с анизотропной решёткой теплопроводность зависит от направления теплового потока относительно кристаллографических осей. Например, в графите теплопроводность вдоль плоскостей базиса более чем на порядок выше, чем в перпендикулярном направлении.