Микроскопическая природа закона Ома
Закон Ома, сформулированный в макроскопической форме как
j = σE
где j — плотность электрического тока, σ — удельная электропроводность, а E — электрическое поле, описывает линейную зависимость тока от приложенного поля. В микроскопической теории задача состоит в том, чтобы вывести эту зависимость, исходя из законов движения носителей заряда в кристаллической решётке, с учётом рассеяния на дефектах, фононах и примесях.
В модели почти свободных электронов электроны движутся в периодическом потенциале и обладают квазиимпульсом k, а их динамика описывается уравнением:
$$ \hbar \frac{d\mathbf{k}}{dt} = -e \mathbf{E} $$
в случае постоянного электрического поля. При отсутствии столкновений электроны будут непрерывно набирать энергию, что противоречит наблюдаемой стационарной проводимости. Это указывает на необходимость учёта механизмов релаксации.
Рассмотрим простейшую τ-аппроксимацию (модель Друде–Сомерфельда), в которой предполагается, что после каждого столкновения электрон “забывает” предыдущее состояние и возвращается к локальному равновесию. Тогда среднее время между столкновениями τ определяет характер проводимости.
Уравнение движения среднего импульса электрона:
$$ m^* \frac{d\mathbf{v}}{dt} = -e \mathbf{E} - \frac{m^*\mathbf{v}}{\tau} $$
В стационарном режиме (dv/dt = 0) получаем:
$$ \mathbf{v} = -\frac{e\tau}{m^*} \mathbf{E} $$
где m* — эффективная масса электрона.
Плотность тока выражается как
j = −env
Подставляя выражение для v, получаем:
$$ \mathbf{j} = \frac{n e^2 \tau}{m^*} \mathbf{E} $$
Таким образом, электропроводность
$$ \sigma = \frac{n e^2 \tau}{m^*} $$
и закон Ома возникает как естественное следствие уравнений движения с учётом релаксации.
Модель Друде, несмотря на простоту, объясняет многие особенности проводимости:
Однако она не учитывает:
В реальном кристалле поверхность Ферми может иметь сложную форму, а эффективная масса электронов — зависеть от направления в пространстве. Это приводит к анизотропии проводимости, которую необходимо описывать с использованием тензора электропроводности:
ji = ∑jσijEj
В этом случае закон Ома сохраняет форму, но σij является не скаляром, а тензором второго ранга.
Время релаксации τ определяется суммарным вкладом различных механизмов:
$$ \frac{1}{\tau} = \frac{1}{\tau_{\text{фононы}}} + \frac{1}{\tau_{\text{примеси}}} + \frac{1}{\tau_{\text{дефекты}}} $$
Это приводит к характерной температурной зависимости сопротивления металлов: рост при нагреве и насыщение при охлаждении.
В рамках кинетического уравнения Больцмана для функции распределения электронов f(k, t) при слабом поле записывается линейная аппроксимация:
$$ -e\mathbf{E} \cdot \frac{\partial f_0}{\partial \mathbf{k}} = -\frac{f - f_0}{\tau} $$
где f0 — равновесное распределение Ферми–Дирака. Решение этого уравнения позволяет строго вывести выражение для проводимости, аналогичное модели Друде, но с учётом статистики фермионов и формы поверхности Ферми.
Линейная зависимость j ∝ E возникает в области линейного отклика, когда возмущение от электрического поля мало по сравнению с тепловой энергией носителей. При больших полях (eEτ ≫ kBT) наблюдаются нелинейные эффекты: насыщение дрейфовой скорости, горячие электроны, лавинная ионизация. Эти явления выходят за рамки закона Ома, что подчёркивает его ограниченность как низкополевого приближения.