Поглощение света в материалах — это процесс, при котором энергия
электромагнитного излучения переходит в другие формы энергии, чаще всего
тепловую, путем взаимодействия фотонов с электронами или колебательными
состояниями атомов и молекул. Эффективность и характер поглощения
зависят от структуры материала, природы его электронных состояний и
длины волны света.
Электронные переходы
Наиболее распространённый механизм поглощения в твердых телах —
возбуждение электронов из одной энергетической зоны в другую. В
полупроводниках и диэлектриках это проявляется как переходы между
валентной зоной и зоной проводимости.
Ключевые моменты:
- Энергия фотона: Для перехода требуется, чтобы
энергия фотона E = hν была не
меньше ширины запрещенной зоны Eg.
- Спектральная зависимость: Поглощение резко
возрастает при достижении порога Eg, что
формирует краевой спектр поглощения.
- Формула поглощения: Интенсивность поглощения
описывается законом Бугера–Ламберта–Бера:
I(x) = I0e−αx,
где I0 —
интенсивность падающего света, x — путь прохождения, α — коэффициент поглощения,
зависящий от энергии фотона и свойств материала.
Колебательные и
вращательные переходы
В молекулярных кристаллах, жидкостях и газах значительную роль играют
колебательные и вращательные уровни молекул:
- Колебательные переходы соответствуют инфракрасной
области спектра и вызывают резонансное поглощение на частотах,
характерных для конкретных химических связей.
- Вращательные переходы наблюдаются в микроволновой
области и определяются моментами инерции молекул.
Эти процессы часто сопровождаются комбинацией и многофотонными
переходами, что расширяет спектральные диапазоны поглощения.
Поглощение в металлах
Металлы обладают высокой концентрацией свободных электронов, что
приводит к специфическим механизмам поглощения:
- Поглощение за счет плазмонных резонансов: Колебания
электронного газа вызывают резонанс на определённых частотах, что сильно
увеличивает коэффициент поглощения.
- Дрейфовые процессы: Свободные электроны рассеивают
энергию фотона через тормозное излучение и тепловую генерацию.
- Спектральные особенности: Металлы обычно прозрачны
в инфракрасной области на коротких путях прохождения, но сильно
поглощают видимый свет.
Роль дефектов и примесей
Нарушения кристаллической решетки, вакансии и примесные атомы создают
локальные энергетические уровни, позволяя поглощать свет на энергиях,
меньших, чем ширина запрещённой зоны основного материала.
Важные эффекты:
- Формирование цветных центров, придающих материалу
окраску.
- Усиление поглощения в области длинных волн за счёт переходов между
локальными уровнями.
- Нарушение симметрии может активировать запрещённые переходы, делая
спектр поглощения более сложным.
Математические модели
поглощения
Для количественного описания поглощения используют
спектрально-зависимые коэффициенты α(λ). В приближении прямых
переходов:
$$
\alpha(h\nu) \propto \frac{(h\nu - E_g)^{1/2}}{h\nu}, \quad h\nu >
E_g
$$
Для непрямых переходов:
$$
\alpha(h\nu) \propto \frac{(h\nu - E_g)^2}{h\nu}, \quad h\nu > E_g
$$
Эти зависимости позволяют определять тип полупроводника и его
энергетическую структуру по спектру поглощения.
Влияние температуры и
давления
- Температура: Повышение температуры приводит к
расширению решетки и смещению уровней энергии, что изменяет спектр
поглощения.
- Давление: Изменение межатомных расстояний может
сдвигать пороговые энергии и модифицировать интенсивность
поглощения.
Эти эффекты активно используются для диагностики материалов и
создания сенсоров.
Поглощение и оптические
свойства
Поглощение определяет такие ключевые характеристики материала,
как:
- Цвет и прозрачность.
- Коэффициенты отражения и пропускания, через связь с комплексным
показателем преломления ñ = n + ik,
где k связан с α через $k
= \frac{\lambda \alpha}{4\pi}$.
- Энергоэффективность оптических приборов, солнечных элементов и
фотодетекторов.