Рентгеноструктурный анализ (РСА) — это метод исследования кристаллической структуры материалов с использованием рентгеновского излучения. Основная цель РСА — определение пространственной организации атомов в кристаллах, их положения и симметрии, что является ключевым для понимания физических и химических свойств материалов.
РСА основан на явлении дифракции рентгеновских лучей на периодической решётке кристалла. Когда монохроматический рентгеновский пучок падает на кристалл, атомные плоскости действуют как дифракционные решётки, отражая лучи под определёнными углами. Это описывается законом Брэгга:
nλ = 2dsin θ
где:
Закон Брэгга позволяет определить межплоскостные расстояния d и, соответственно, параметры кристаллической решётки.
1. Порошковый метод (порошковая дифрактометрия) Используется для поликристаллических или аморфных образцов. Образец измельчается до порошка, чтобы обеспечить случайную ориентацию кристаллитов. Получаемый дифрактограмма содержит пики, соответствующие наборам атомных плоскостей. Основные возможности метода:
2. Однокристаллический метод Применяется к одиночным кристаллам. Позволяет получать полные трёхмерные карты электронной плотности и точно определять положение атомов. Основные этапы:
3. Фазовый анализ и структура материалов РСА позволяет:
Параметры элементарной ячейки Определяются по положению дифракционных пиков. Позволяют узнать геометрию решётки (кубическая, тетрагональная, гексагональная и др.) и размеры ячейки (a, b, c).
Кристаллическая симметрия Анализ интенсивности и расположения отражений помогает определить точечную группу и пространственную группу кристалла.
Кристаллитный размер и микроструктурные напряжения Ширина дифракционных пиков используется для оценки размера кристаллитов L и микродеформаций ε методом Шеррера и Вильямсона–Халла:
$$ \beta\cos\theta = \frac{k\lambda}{L} + 4\varepsilon\sin\theta $$
где β — ширина пика, k — постоянная формы кристаллита.
Рентгеновские источники:
Детекторы:
Методы измерений:
Современный РСА активно использует:
Методы рентгеноструктурного анализа продолжают оставаться краеугольным камнем физики материалов, позволяя получать фундаментальные сведения о строении веществ, влияющих на их механические, электрические, магнитные и оптические свойства.