Энергетическая структура твердых тел определяется периодическим потенциалом кристаллической решетки, который влияет на поведение электронов. В кристаллах электроны не принадлежат строго отдельным атомам, а распределяются по всему объему материала, образуя зонную структуру. В этой модели энергетические состояния разделяются на разрешённые зоны (энергетические зоны) и запрещённые зоны (зоны запрещённых энергий, энергетические щели).
Ключевой момент: Запрещённая зона определяет электрические свойства материала: ширина запрещённой зоны Eg напрямую связана с проводимостью.
В простейшем приближении для одномерной периодической решетки можно использовать модель Кронниг-Пенни, где потенциал представляется чередующимися прямоугольными барьерами. Решение уравнения Шрёдингера даёт энергетические зоны и запрещённые щели.
Энергия электронов в кристалле описывается уравнением:
$$ \left[-\frac{\hbar^2}{2m}\nabla^2 + V(\mathbf{r})\right]\psi(\mathbf{r}) = E \psi(\mathbf{r}) $$
где V(r) — периодический потенциал решётки. Согласно теореме Блоха, волновые функции имеют вид:
ψnk(r) = unk(r)eik ⋅ r
где unk(r) повторяет период кристаллической решётки.
Ключевой момент: Теорема Блоха объясняет, почему энергия электронов в кристалле формирует зоны энергии, а не дискретные уровни, как в изолированном атоме.
Энергетическая структура тесно связана с пространственной периодичностью решётки. В k-пространстве (пространстве волновых векторов) выделяют зоны Бриллюэна, которые ограничивают уникальные значения волнового вектора k.
Эта концепция позволяет визуализировать электронные состояния в кристалле и объясняет эффекты отражения волн на периодическом потенциале, приводящие к формированию запрещённых зон.
Плотность состояний (DOS) g(E) описывает количество доступных электронных уровней в единице энергии. Она определяется как:
$$ g(E) = \frac{1}{V} \sum_{\mathbf{k}} \delta(E - E(\mathbf{k})) $$
Ключевой момент: Плотность состояний является фундаментальной характеристикой, определяющей тепловые, оптические и электрические свойства материала.
В полупроводниках важно рассматривать электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости создаёт дырку, которая ведёт себя как положительный носитель заряда.
ni ∝ T3/2e−Eg/2kBT
где ni — концентрация электронов, Eg — ширина запрещённой зоны, kB — постоянная Больцмана.
Ключевой момент: Температурная зависимость концентрации носителей объясняет переход материала из диэлектрика в проводник при нагреве.
Примеси в полупроводниках создают локальные энергетические уровни внутри запрещённой зоны.
Ключевой момент: Легирование позволяет управлять электрическими свойствами материала, создавая n- и p-тип проводимости.
Энергетические зоны определяют спектральные свойства материалов:
Ключевой момент: Зонная структура объясняет, почему материалы с одинаковым химическим составом могут иметь кардинально разные свойства в зависимости от кристаллической решётки и легирования.