При контакте полупроводниковой поверхности с окружающей средой происходит поглощение или выделение атомов и молекул. Эти процессы определяются явлениями адсорбции и десорбции, которые оказывают критическое влияние на электрические и оптические свойства материала.
Адсорбция — это накопление частиц (атомов, ионов, молекул) на поверхности твердого тела. Она может быть физической (слабое взаимодействие ван-дер-ваальсового типа) или химической (образование прочных химических связей).
Десорбция — это процесс удаления адсорбированных частиц с поверхности, который может происходить спонтанно, под действием температуры, излучения или электрического поля.
Оба процесса взаимосвязаны и находятся в динамическом равновесии, определяя эффективный заряд поверхности, концентрацию поверхностных состояний и скорость поверхностной рекомбинации.
Физическая адсорбция (физисорбция)
Химическая адсорбция (хемисорбция)
Термическая десорбция
Фотодесорбция
Электронно- и ионно-стимулированная десорбция
Изгиб зон у поверхности Адсорбция заряженных частиц или молекул приводит к изменению поверхностного потенциала. Это выражается в изгибе энергетических зон, который регулирует распределение носителей заряда.
Формирование поверхностных состояний При хемисорбции образуются новые энергетические уровни в запрещённой зоне, которые могут служить центрами рекомбинации или донорно-акцепторными уровнями.
Изменение проводимости Адсорбция молекул кислорода, воды или газов типа NO₂ может существенно изменять проводимость полупроводникового материала (эффект используется в газовых сенсорах).
Поверхностная рекомбинация Адсорбированные примеси и молекулы усиливают или ослабляют скорость рекомбинации носителей, что особенно важно для работы фотоприёмников и солнечных элементов.
Процессы адсорбции и десорбции подчиняются законам кинетики и описываются уравнениями вида:
Скорость адсорбции:
Rad = S ⋅ P ⋅ (1 − θ)
где S — коэффициент прилипания, P — давление газа, θ — степень покрытия поверхности.
Скорость десорбции:
Rdes = ν ⋅ θn ⋅ e−Ed/kT
где ν — частота попыток, n — порядок процесса (обычно 1 или 2), Ed — энергия десорбции, k — постоянная Больцмана, T — температура.
Баланс этих процессов определяет стационарное состояние поверхности.
Очистка поверхности Термическая и плазменная десорбция применяются для удаления загрязнений перед эпитаксией и ионной имплантацией.
Управление свойствами интерфейсов Адсорбция на границах раздела «полупроводник–диэлектрик» определяет качество транзисторов и интегральных схем.
Газочувствительные структуры Изменение проводимости вследствие адсорбции используется в сенсорах на основе оксидов металлов и полупроводников III–V групп.
Фотокаталитические процессы Десорбция под действием излучения играет роль в создании фотокатализаторов и устройств фотодеградации загрязнителей.