Квантовая яма — это нанометрового масштаба область пространства, в которой движение носителей заряда (электронов или дырок) ограничено в одном или нескольких измерениях, что приводит к квантованию энергетических уровней. Такой эффект возникает, когда толщина слоя полупроводника сопоставима с длиной волны де Бройля носителей (порядка нескольких нанометров).
В простейшей модели потенциальной ямы с бесконечно высокими стенками энергия электронов в квантовой яме определяется выражением:
$$ E_n = \frac{\hbar^2 \pi^2 n^2}{2 m^* L^2} $$
где n — квантовое число, m* — эффективная масса электрона в материале, L — ширина ямы.
В реальных структурах используются квантовые ямы с конечной глубиной потенциала, образующиеся за счёт различий в запрещённых зонах двух полупроводников, например GaAs/AlGaAs или InGaAs/GaAs.
В квантовой яме носители заряда движутся свободно только в двух измерениях, а вдоль третьего их энергия дискретизируется.
Плотность состояний для двумерного газа электронов в квантовой яме имеет ступенчатую зависимость:
$$ g_{2D}(E) = \frac{m^*}{\pi \hbar^2} \cdot \Theta(E - E_n) $$
где Θ — функция Хевисайда. Каждый дискретный уровень энергии даёт начало новой ступени в спектре плотности состояний, что резко влияет на оптические и электронные свойства.
Сверхрешётка — это периодическая структура, состоящая из чередующихся тонких слоёв различных полупроводников (или металлов), толщина которых сравнима с длиной волны де Бройля носителей. При чередовании квантовых ям и барьеров образуется минизонная структура в энергетическом спектре.
Если толщина барьеров мала, волновые функции электронов в соседних ямах перекрываются, и дискретные уровни превращаются в минизоны — энергетические зоны с небольшой шириной (порядка нескольких мэВ).
Для одномерной периодической потенциальной структуры решение уравнения Шрёдингера даёт энергетические полосы и запрещённые минизоны. Ширина минизон зависит от толщины барьеров и степени туннельного перекрытия:
ΔE ∝ e−κdb
где κ — коэффициент затухания волновой функции в барьере, db — толщина барьера.
В пределе толстых барьеров структура превращается в набор независимых квантовых ям, а при очень тонких барьерах приближается к объёмному кристаллу.