Определение и квантование уровней
Квантовые ямы — это наноструктуры, в которых движение заряженных частиц (электронов или дырок) ограничено в одном направлении настолько сильно, что возникает квантование энергетических уровней. Обычно квантовая яма создается в тонком слое полупроводника с меньшей шириной, чем длина де Бройля электрона, например, в гетероструктуре.
Возможность движения сохраняется лишь в двух других направлениях, что приводит к двумерной электронной системе с дискретными уровнями энергии вдоль направления ограничения.
Энергетическая структура
Энергетические уровни квантовой ямы можно аппроксимировать решением уравнения Шрёдингера с потенциалом, ограниченным по одному измерению. Собственные значения энергии En формируют набор дискретных подзон:
$$ E_n = E_c + \frac{\hbar^2 \pi^2 n^2}{2 m^* L_z^2} $$
где Ec — дно зоны проводимости, m* — эффективная масса, Lz — ширина квантовой ямы, n — квантовое число.
Подуровни формируют плотность состояний с характерным скачкообразным видом, что влияет на оптические и электронные свойства.
Оптические свойства
Квантовые ямы проявляют уникальные оптические характеристики:
Эти особенности используются в лазерах с квантовыми ямами и фотодетекторах.
Транспортные свойства
Двумерная природа электронов в квантовой яме приводит к квантовым эффектам в проводимости:
Электрон-электронные взаимодействия
В ограниченных структурах усиливается взаимодействие электронов, что может приводить к новым состояниям:
Технологические аспекты
Квантовые ямы изготавливаются с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и других методов осаждения слоев с атомарной точностью. Контроль толщины и состава материалов позволяет управлять физическими свойствами.
Использование квантовых ям лежит в основе современных устройств: лазеров, транзисторов, квантовых точек и сенсоров.