Спиновая электроника (спинтроника) — направление физики и технологий, использующее спин электрона, а не только его заряд, для обработки и хранения информации. Это революционный подход, значительно расширяющий функциональные возможности электронных устройств.
Спин электрона
Электрон обладает внутренним квантовым угловым моментом — спином, который может принимать два проекции: «вверх» или «вниз». В традиционной электронике используется только заряд электрона, а спин не учитывается.
Спиновая поляризация
Спиновая поляризация — неравенство численности электронов с разным направлением спина в материале. Ферромагнитные материалы естественно обладают высокой спиновой поляризацией, что позволяет использовать их в спинтронных устройствах.
Магнитный туннельный эффект
Электроны могут туннелировать через тонкий изолятор между двумя ферромагнитными слоями. Вероятность туннелирования зависит от относительной ориентации спинов в слоях, что используется в магниторезистивных эффектах.
Гигантский магниторезистивный эффект (GMR)
Изменение электрического сопротивления многослойной структуры при изменении ориентации магнитных слоев. В основе лежит спин-зависимая рассеяние электронов. GMR нашёл применение в датчиках и жестких дисках.
Туннельный магниторезистивный эффект (TMR)
Аналог GMR, но с туннельным барьером, дающий более высокий коэффициент изменения сопротивления. Используется в магнитных оперативных запоминающих устройствах (MRAM).
Использование спиновых состояний для создания транзисторов и логических элементов с меньшим энергопотреблением и высокой скоростью переключения. Потенциал для квантовых вычислений и новых архитектур.