Фотодиоды и фотоумножители

Фотодиоды являются полупроводниковыми приборами, преобразующими оптическое излучение в электрический ток. Основу работы фотодиода составляет внутренний фотоэффект, происходящий в p-n-переходе или в структуре PIN. При попадании фотона с энергией, превышающей ширину запрещённой зоны полупроводника, происходит генерация пары “электрон–дырка”. Созданные носители заряда разделяются электрическим полем p-n-перехода, что приводит к появлению фототока.

Существует два основных режима работы фотодиода:

  • Фотогальванический (фотогальванометрический) режим — при нулевом внешнем смещении. Образовавшиеся носители заряда создают ЭДС, и фототок протекает за счёт внутреннего поля перехода.
  • Фотокондукторный (обратносмещённый) режим — при приложении обратного напряжения. Это увеличивает ширину обеднённой зоны, уменьшает ёмкость и ускоряет отклик, что критично для быстродействующих фотодиодов.

Типы фотодиодов

PIN-фотодиоды Обладают высокой чувствительностью и быстродействием. Между p- и n-областями встроен и-слой (интринзик, т.е. слаболегированный), расширяющий зону генерации носителей и уменьшающий ёмкость перехода. Часто применяются в высокочастотной оптике, системах связи, лазерной спектроскопии.

Аваланчевые фотодиоды (APD) Работают при высоком обратном напряжении, при котором создаваемые носители заряда инициируют лавинный пробой. Это приводит к внутреннему усилению сигнала, увеличивая чувствительность. Важна точная стабилизация напряжения и термостабильность, так как лавинное усиление чувствительно к температуре и шуму.

Многоэлементные фотодиоды Включают линейные и двумерные матрицы, применяемые в сканерах, камерах, спектрометрах. Позволяют пространственно разрешать интенсивность излучения.

Шоттки-фотодиоды Создаются на основе металлического контакта с полупроводником. Обладают очень малым временем отклика, но меньшей чувствительностью по сравнению с PIN-типами. Идеальны для детектирования ультрафиолета и ближнего ИК-диапазона.

Спектральные характеристики и чувствительность

Чувствительность фотодиода определяется коэффициентом внешней квантовой эффективности — отношением числа созданных носителей заряда к числу падающих фотонов. Эта величина зависит от материала полупроводника:

  • Si (кремний): 400–1100 нм;
  • Ge (германий): 800–1600 нм;
  • InGaAs: 900–1700 нм;
  • PbS, PbSe: 1–5 мкм (ИК-диапазон).

Максимум чувствительности обычно приходится на длину волны, соответствующую границе поглощения материала.

Быстродействие и шум

Время отклика фотодиода зависит от:

  • ширины обеднённой области (меньше ёмкость — выше скорость);
  • сопротивления внешней нагрузки;
  • конструкции выводов.

Шум в фотодиодах возникает из-за:

  • шотковского шума (статистическая природа фотогенерации);
  • токов утечки;
  • темнового тока (ток при отсутствии света).

Снижение шумов достигается охлаждением фотодиода и использованием интегральных усилителей с низким уровнем собственных шумов.


Фотоумножители (ФЭУ)

Фотоумножители — это вакуумные электронные приборы, обеспечивающие усиление слабых световых сигналов вплоть до единичных фотонов. Работают на основе внешнего фотоэффекта и вторичной эмиссии электронов. Основные элементы конструкции:

  • Фотокатод — материал, выделяющий электроны под действием фотонов. Характеризуется квантовым выходом (КВ), который зависит от длины волны.
  • Диноны — каскадные электроды, на которых происходит лавинное усиление потока электронов.
  • Анод — собирает усиленный электронный поток, создавая измеримый ток.

Рабочий процесс

  1. Фотон попадает на фотокатод и выбивает электрон.
  2. Электрон ускоряется электростатическим полем и попадает на динод.
  3. При ударе создаются вторичные электроны (обычно 3–10), которые попадают на следующий динод.
  4. Процесс повторяется до анода, где образуется электрический импульс, пропорциональный интенсивности излучения.

Основные характеристики ФЭУ

  • Коэффициент усиления: может достигать 10⁶–10⁸.

  • Темновой ток: возникает из-за термоэлектронной эмиссии и влияет на чувствительность.

  • Чувствительность: зависит от материала фотокатода, например:

    • Ag-O-Cs: чувствителен в УФ и видимом диапазоне;
    • GaAs(Cs): расширенный спектральный диапазон;
    • Sb-Na-K-Cs (S11, S20): общеприменимые фотокатоды;
    • Multialkali: широкий спектр (300–850 нм).
  • Время отклика: ~1–10 нс, что позволяет использовать ФЭУ в импульсных измерениях, лазерной спектроскопии, регистрации одиночных фотонов.


Преимущества и недостатки фотодиодов и ФЭУ

Характеристика Фотодиоды Фотоумножители (ФЭУ)
Чувствительность Средняя Очень высокая
Быстродействие Высокое Среднее – высокое
Рабочее напряжение Низкое (до 100 В) Высокое (до 2000 В и более)
Габариты Компактные Крупные
Чувствительность к магнитным полям Низкая Высокая
Надёжность и срок службы Высокие Ограниченные
Стоимость Низкая – средняя Средняя – высокая

Современные направления и применение

Фотодиоды активно применяются в:

  • волоконно-оптических системах связи;
  • лазерной технике;
  • измерительной технике (лидары, спектрофотометры);
  • биомедицинской диагностике.

Фотоумножители находят применение в:

  • физике высоких энергий;
  • астрономии (телескопы, спектрографы);
  • ядерной физике (сцинтилляционные счётчики);
  • медицинской визуализации (ПЭТ, сцинтиграфия).

Развитие полупроводниковых технологий привело к появлению фотоприёмников на основе APD и лавинных кремниевых структур (SiPM), которые сочетают преимущества ФЭУ и компактность фотодиодов. Это позволяет реализовывать чувствительные приёмники на твердотельной основе для регистрации единичных фотонов в широком спектральном диапазоне.