Малоугловое рентгеновское рассеяние (Small-Angle X-ray Scattering, SAXS) — это мощный метод для исследования наноструктур в диапазоне размеров от 1 до 100 нм. SAXS позволяет получать информацию о форме, размерах, распределении и агрегированном состоянии наночастиц, полимеров, белков, коллоидов и других материалов.
При малых углах рассеяния (θ ≲ 5∘) дифракционный сигнал определяется флуктуациями электронной плотности в материале. Интенсивность рассеянного излучения I(q) зависит от модуля вектора рассеяния q:
$$ q = \frac{4 \pi}{\lambda} \sin \theta $$
где λ — длина волны рентгеновского излучения, θ — угол рассеяния. Для малых углов q принимает малые значения, что позволяет изучать крупные наноструктуры.
Ключевые зависимости:
I(q) = ⟨|Δρ(r)|2⟩V2P(q)S(q)
где Δρ(r) — контраст электронной плотности, V — объем рассеивателя, P(q) — форма частицы, S(q) — фактор структуры (взаимное расположение частиц).
SAXS позволяет определить средний радиус частиц, форму и распределение размеров.
$$ I(q) \approx I(0) \exp\left(-\frac{q^2 R_g^2}{3}\right), \quad qR_g \ll 1 $$
Где I(0) — интенсивность при q → 0. Это позволяет напрямую измерить Rg наночастиц.
$$ P(q) = \left[ \frac{3 (\sin qR - qR \cos qR)}{(qR)^3} \right]^2 $$
Фактор структуры отражает взаимное расположение частиц и их агрегированное состояние:
S(q) = 1 + ρ∫[g(r) − 1]eiq ⋅ rdr
где g(r) — функция распределения пар, ρ — концентрация частиц. S(q) используется для анализа:
SAXS выполняется на синхротронных источниках и лабораторных рентгеновских установках. Основные компоненты:
Эксперименты требуют точного контроля температуры, концентрации и среды, чтобы исключить артефакты, связанные с агрегацией или осаждением.
I(q) ∼ q−4 (Porod law)
SAXS позволяет получать статистическую информацию о больших объемах образца, что делает метод особенно ценным для систем с неоднородной или случайной структурой на наномасштабе.