Зонная теория

Квазикристаллическая структура зон в твердых телах


Рассмотрим движение электрона в кристалле, представляющем собой периодическую совокупность атомов. Потенциальная энергия V(r⃗) периодична с трансляцией решётки:

V(r⃗ + R⃗) = V(r⃗),

где R⃗ — вектор трансляции решётки. Такое поведение потенциала приводит к специфическим особенностям волновых функций электронов, описываемых теоремой Блоха.


Теорема Блоха и форма волновых функций

Решения уравнения Шрёдингера в периодическом потенциале имеют вид:

ψk⃗(r⃗) = eik⃗ ⋅ r⃗uk⃗(r⃗),

где uk⃗(r⃗) — функция с той же периодичностью, что и потенциал:

uk⃗(r⃗ + R⃗) = uk⃗(r⃗).

Параметр k⃗ называется квазиимпульсом и играет центральную роль в описании электронных состояний в кристалле. Таким образом, собственные состояния электрона в кристалле представляют собой бегущие волны, модулированные периодическими функциями.


Образование энергетических зон

В периодическом потенциале уровни энергии электрона не являются дискретными, как в атоме, а формируют полосы энергии, называемые зонами. Между этими зонами могут существовать запрещённые зоны — интервалы энергии, в которых не существует допустимых стационарных состояний электрона.

Эти особенности обусловлены интерференцией волновых функций в периодической решётке и соответствуют разветвлению уровней энергии при взаимодействии электронов с периодическим потенциалом.


Метод почти свободных электронов

В приближении почти свободных электронов предполагается, что электрон движется по кристаллу, испытывая лишь слабое воздействие со стороны решётки. Уравнение Шрёдингера для такого электрона записывается как:

$$ \left[ \frac{\hat{p}^2}{2m} + V(\vec{r}) \right] \psi(\vec{r}) = E \psi(\vec{r}). $$

Поскольку потенциал слаб, его можно разложить в ряд Фурье по векторам обратной решётки G⃗:

V(r⃗) = ∑G⃗VG⃗eiG⃗ ⋅ r⃗.

Резонансные условия возникают, когда k⃗ и k⃗ + G⃗ соответствуют одинаковой энергии свободного электрона:

$$ \frac{\hbar^2 k^2}{2m} = \frac{\hbar^2 (\vec{k} + \vec{G})^2}{2m}. $$

В таких точках возникает разрыв зон — энергетический разрыв, обусловленный Bragg-отражением волн.


Зонная структура и первая зона Бриллюэна

Пространство квазиимпульсов разбивается на элементарные ячейки, называемые зонами Бриллюэна. Первая зона Бриллюэна — область в пространстве k⃗, ближайшая к началу координат. В ней содержатся все уникальные (неэквивалентные) значения квазиимпульса, достаточные для описания всего спектра.

Квазимомент k⃗, лежащий за пределами первой зоны, можно привести в неё с помощью вектора обратной решётки. Это отражает периодичность энергетического спектра в k⃗-пространстве.


Заполненность зон и проводимость

Важнейшее следствие зонной теории — различие между проводниками, полупроводниками и диэлектриками, обусловленное заполненностью энергетических зон:

  • Если верхняя занятая зона неполностью заполнена, электроны могут легко переходить на свободные уровни внутри той же зоны — материал проводит ток (металл).
  • Если все зоны ниже некоторого уровня полностью заполнены, а выше — полностью пусты и отделены энергетическим разрывом, тогда электрону нужно преодолеть запрещённую зону, чтобы участвовать в проводимости (диэлектрик).
  • Если разрыв существует, но мал и может быть преодолён тепловым возбуждением, то материал — полупроводник.

Таким образом, зонная структура определяет электрические свойства вещества.


Эффективная масса электрона

Из-за кривизны энергетической зависимости E(k⃗) вблизи минимума или максимума зоны можно ввести понятие эффективной массы:

$$ \frac{1}{m^*} = \frac{1}{\hbar^2} \frac{d^2 E}{dk^2}. $$

Эффективная масса может существенно отличаться от массы свободного электрона и может быть даже отрицательной, например, для дырок в максимуме валентной зоны. Эффективная масса участвует в уравнении движения электронов в электрических и магнитных полях в кристалле и является важным параметром в расчетах транспортных свойств.


Влияние симметрии кристаллической решётки

Зонная структура существенно зависит от пространственной симметрии кристаллической решётки. При высокой симметрии возможны вырождения энергетических уровней, а также особенности в виде зонных перекрытий или точек Дирака (в графене и других материалах с необычной топологией).

В теории групп используется анализ симметрий для классификации возможных форм энергетического спектра и описания переходов между уровнями, включая разрешённые и запрещённые оптические переходы.


Примеси и легирование

Реальные кристаллы содержат примеси, которые создают дополнительные энергетические уровни внутри запрещённой зоны. Примеси делятся на донорные и акцепторные:

  • Доноры создают уровни, близкие к зоне проводимости, и легко отдают электроны.
  • Акцепторы создают уровни, близкие к валентной зоне, и легко захватывают электроны, создавая дырки.

Эти уровни изменяют электронную плотность и проводят к появлению n- и p-типов полупроводников. Это фундаментально важно для работы диодов, транзисторов и других электронных устройств.


Туннелирование и мини-зоны в сверхрешётках

В искусственно созданных структурах, таких как сверхрешётки, периодичность потенциала задаётся на большом масштабе, что приводит к дроблению зон на мини-зоны, с узкими ширинами и малыми энергиями перехода. Электроны могут туннелировать между слоями, и такая структура демонстрирует квантовые эффекты даже при умеренных температурах.


Топологические особенности зон

Современная физика твёрдого тела уделяет особое внимание топологическим инвариантам зонной структуры — таким, как число Черна. Они не зависят от локальной формы спектра, но определяют топологические фазы вещества, включая:

  • Топологические изоляторы;
  • Аномальный квантовый эффект Холла;
  • Квазичастицы типа Вейля и Дирака.

Появление робастных краевых состояний, не чувствительных к дефектам, является следствием топологической природы зон.


Оптические переходы и зонные диаграммы

Поглощение и испускание фотонов в твёрдом теле связано с переходами между различными зонами. Оптические свойства вещества определяются не только шириной запрещённой зоны, но и характером зон (прямой или непрямой переход):

  • В прямозонных полупроводниках минимум зоны проводимости и максимум валентной зоны совпадают по k⃗.
  • В непрямозонных полупроводниках переход сопровождается изменением квазиимпульса и требует участия фононов.

Эти особенности критичны при выборе материала для светодиодов и лазеров.


Вычислительные методы построения зон

Современная зонная теория активно использует численные методы:

  • Метод плотностного функционала (DFT);
  • Псевдопотенциальный подход;
  • Метод ЛМТО (линейных муффин-тин орбиталей);
  • Tight-binding метод (плотно-связанный).

Эти методы позволяют получать точные энергетические диаграммы для реальных кристаллов с учетом сложной симметрии и взаимодействий, включая спин-орбитальное расщепление и корреляции.